[发明专利]用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法

说明书

本发明涉及用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法。一种处理半导体晶片的方法包括在半导体晶片上沉积硅层。所述硅层具有基本均匀的厚度。所述硅层被抛光以平滑化所述硅层，以使得所述厚度在抛光后基本均匀。

本申请是申请日为2016年5月26日、PCT国际申请号为 PCT/US2016/034428、中国国家阶段申请号为201680030931.3、发明名称为“用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法”的申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年5月29日提交的编号为62/168,247的美国临时专利申请的优先权，通过引用将其全部公开内容并入本文中。

技术领域

本公开一般地涉及处理半导体晶片，更特别地，本公开涉及用于处理包括半导体晶片的抛光表面的半导体晶片的系统和方法。

背景技术

半导体晶片被用于诸如集成电路(IC)芯片、绝缘体上硅(SOI)晶片和射频SOI(RF-SOI)晶片的半导体器件的生产。典型地，半导体晶片包括高电阻率衬底，该高电阻率衬底可导致形成高导电性反转(inversion) 累积层，这妨碍了半导体器件的性能。

在一些工艺中，诸如多晶硅层的层被沉积到半导体晶片的表面上以提供密度电荷陷阱，从而抑制高导电性反转累积层的形成。例如，该层可被沉积到形成高电阻率衬底与掩埋氧化物层(BOX)之间的界面的表面上，以阻碍电荷跨该界面的移动。一旦沉积，该层倾向于在半导体晶片上形成粗糙的表面。因此，半导体晶片的粗糙表面需要被进一步处理，以具有满足用于诸如IC芯片、SOI晶片和RF-SOI晶片的半导体器件的生产的严格参数的特性。

典型地，半导体晶片的表面被抛光以改善包括多晶层粗糙度和微缺陷的表面特性。抛光半导体晶片的一种方式被称为化学机械抛光(CMP)。 CMP工艺通常使用安装在转盘上以围绕垂直轴驱动旋转的圆形抛光垫，以及用于保持晶片并迫使晶片接触抛光垫的机构。抛光垫旋转，并且借由抛光头使晶片与抛光垫接触并压在抛光垫上。然而，抛光垫会随着时间而劣化，并且抛光垫的抛光表面变得不平坦。这种垫磨损会影响抛光后的表面特性，这可能导致晶片不能令人满意或需要额外的处理。

CMP工艺还可以显著改变半导体晶片的形状，这是因为半导体晶片的部分以不等的量被去除，并且晶片的厚度于是发生变化。因此，晶片的部分可具有厚于或薄于所需的或最佳的情况的材料区域。这些变化可能会造成浪费和低效。

因此，需要一种使用改进的垫磨损工艺并且基本上不改变半导体晶片的形状的抛光半导体晶片的方法。这些方法应该提高用于高质量半导体器件(例如IC芯片、SOI晶片和RF-SOI晶片)的晶片的质量。

该背景技术部分旨在向读者介绍可能与以下描述和/或要求保护的本公开的各个方面有关的技术的各个方面。相信该论述有助于向读者提供背景信息以便于更好地理解本公开的各个方面。相应地，应该理解，这些陈述应当从此意义上来阅读，而不是作为现有技术的承认。

发明内容

在一方面，一种处理半导体晶片的方法包括在所述半导体晶片上沉积硅层。所述硅层具有基本均匀的厚度。抛光所述硅层以平滑化所述硅层，以使得所述厚度在抛光后基本均匀。