[发明专利]用于处理具有多晶磨光的半导体晶片的方法

权利要求书

1.一种处理半导体晶片的方法，包括：

在所述半导体晶片上沉积硅层，所述硅层具有基本均匀的厚度；

在抛光所述硅层之前确定所述半导体晶片的初始晶片轮廓，其中所述初始晶片轮廓具有非平面形状；

基于所述初始晶片轮廓的所述非平面形状修整抛光垫；以及

使用所述抛光垫抛光所述硅层以平滑化所述硅层，以使得所述厚度在抛光后基本均匀，并且使得所述半导体晶片具有与所述初始晶片轮廓的所述非平面形状相匹配的抛光后形状。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述硅层是多晶硅层，所述多晶硅层在抛光后具有降低的粗糙度，并且多晶晶界通过抛光而减小。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将浆料施加到所述硅层的外表面，所述浆料包括磨粒和碱。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括将所述半导体晶片定位在抛光装置中，所述抛光装置包括具有垫表面的所述抛光垫，所述垫表面界定中心区域和边缘区域。

5.根据权利要求4所述的方法，进一步包括基于所述半导体晶片的所述初始晶片轮廓修整所述垫表面的所述中心区域和所述边缘区域中的至少一者。

6.根据权利要求5所述的方法，进一步包括在去除所述硅层的一部分之后，检查所述半导体晶片以确定抛光后的晶片轮廓。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括将所述初始晶片轮廓与所述抛光后的晶片轮廓进行比较以确定所述初始晶片轮廓与所述抛光后的晶片轮廓之间的变化。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，基于所述初始晶片轮廓与所述抛光后的晶片轮廓之间的所述变化来修整所述垫表面的所述中心区域和所述边缘区域中的一者。

9.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述初始晶片轮廓包括在沉积所述硅层之前检查所述半导体晶片以确定所述初始晶片轮廓。

10.根据权利要求1所述的方法，其中确定所述初始晶片轮廓包括在沉积所述硅层之后检查所述半导体晶片以确定所述初始晶片轮廓。

11.一种处理半导体晶片的方法，包括：

在所述半导体晶片上沉积硅层，所述硅层具有基本均匀的厚度；

在抛光所述硅层之前确定所述半导体晶片的初始晶片轮廓，其中所述初始晶片轮廓具有碟形状；

基于所述初始晶片轮廓的所述碟形状修整抛光垫；以及

使用所述抛光垫基于所述初始晶片轮廓抛光所述硅层以平滑化所述硅层，以使得所述厚度在抛光后基本均匀，并且使得所述半导体晶片具有与所述初始晶片轮廓的所述碟形状相匹配的形状。

12.根据权利要求11所述的方法，其中修整所述抛光垫进一步包括基于具有所述碟形状的所述初始晶片轮廓修整所述抛光垫的垫表面的边缘区域。

13.根据权利要求11所述的方法，其中确定所述初始晶片轮廓包括在沉积所述硅层之前检查所述半导体晶片以确定所述初始晶片轮廓。

14.根据权利要求11所述的方法，其中确定所述初始晶片轮廓包括在沉积所述硅层之后检查所述半导体晶片以确定所述初始晶片轮廓。

15.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：

在去除所述硅层的一部分之后，检查所述半导体晶片以确定抛光后的晶片轮廓；以及

将所述初始晶片轮廓与所述抛光后的晶片轮廓进行比较以确定所述初始晶片轮廓与所述抛光后的晶片轮廓之间的变化，

其中，修整所述抛光垫进一步包括基于所述初始晶片轮廓与所述抛光后的晶片轮廓之间的所述变化来修整所述抛光垫。