[发明专利]一种氮元素掺杂预还原氧化石墨烯薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202111311409.1 | 申请日： | 2021-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN113896190B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 梁耕源;张鉴炜;唐俊;鞠苏;刘钧;雷博文;肖颖;赵文姝 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科技大学 |
| 主分类号： | C01B32/194 | 分类号： | C01B32/194;H01L35/22 |
| 代理公司： | 长沙国科天河知识产权代理有限公司 43225 | 代理人： | 赵杰 |
| 地址： | 410073 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮元素掺杂预还原氧化石墨烯薄膜及其制备方法和应用，所述薄膜由预还原氧化石墨烯薄膜在氮气气氛中经过高温热冲击处理而成，其中N元素的含量最高可达2.26％，且它以石墨氮和吡咯氮形式存在。其制备方法包括：将氧化石墨烯水相溶液涂抹在基板上，制成氧化石墨烯薄膜，然后进行高温预还原，得到预还原氧化石墨烯薄膜，最后，在高温热冲击工艺在氮气气氛中加工得到本发明薄膜。本发明产品具有轻质柔性、高电导率及热电势高等优点，是新型的碳基高温热电薄膜材料，能够广泛应用于能量转换领域，有很高的使用价值和很好的应用前景。本发明制备方法简单易行，制备周期短，方便易操作，适用于工业大规模制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 元素 掺杂 还原 氧化 石墨 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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