[发明专利]一种半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202111296963.7 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114014259A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 夏永禄;刘端 | 申请（专利权）人： | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L41/332 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230092 安徽省合肥市高新区习友路333*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构的制造方法，包括：提供具有环形凹槽的衬底；在所述衬底的上表面形成阻挡层，所述阻挡层填充所述环形凹槽；在所述阻挡层上方形成功能层；蚀刻所述衬底的下表面以形成空腔，直至到达所述功能层时停止蚀刻。基于该方法能获得的空腔的上顶角接近于90度，从而有利于空腔上方的功能层保持一致性。而且，晶圆的中间区域和边缘区域的空腔尺寸相对一致，进而有利于提高该晶圆的各个半导体结构的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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