[发明专利]一种半导体结构的制造方法

说明书

本申请公开了一种半导体结构的制造方法，包括：提供具有环形凹槽的衬底；在所述衬底的上表面形成阻挡层，所述阻挡层填充所述环形凹槽；在所述阻挡层上方形成功能层；蚀刻所述衬底的下表面以形成空腔，直至到达所述功能层时停止蚀刻。基于该方法能获得的空腔的上顶角接近于90度，从而有利于空腔上方的功能层保持一致性。而且，晶圆的中间区域和边缘区域的空腔尺寸相对一致，进而有利于提高该晶圆的各个半导体结构的一致性。

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体来说，涉及一种半导体结构的制造方法。

背景技术

压电式麦克风的基本结构包含一层振动复合膜层和振动复合膜层下方的空腔组成。空腔的尺寸影响压电式麦克风的灵敏度和谐振频率。在实际工艺过程中，由于晶圆面内工艺均匀性存在差异，导致晶圆的中间区域和边缘区域处的空腔尺寸存在差异，严重影响晶圆的整体器件的均匀性，这导致后期对晶圆的器件的检测成本大大增加。

发明内容

针对相关技术中的问题，本申请提出一种半导体结构的制造方法，能够获得尺寸均匀的空腔，有利于提高晶圆的整体器件的均匀性。

本申请的技术方案是这样实现的：

根据本申请的一个方面，提供了一种半导体结构的制造方法，包括：

提供具有环形凹槽的衬底；

在所述衬底的上表面形成阻挡层，所述阻挡层填充所述环形凹槽；

在所述阻挡层上方形成功能层；

蚀刻所述衬底的下表面以形成空腔，直至到达所述功能层时停止蚀刻。

其中，形成所述阻挡层的方法包括：热氧化所述衬底以形成所述阻挡层。

其中，所述衬底的材料包括硅，热氧化后形成阻挡层的材料包括氧化硅。

其中，所述氧化硅的厚度为0.1um至3um。

其中，形成所述阻挡层的步骤包括：在所述衬底的上表面形成金属层，所述金属层填充所述环形凹槽。

其中，所述金属层的材料包括铝、钨、铜、金。

其中，在所述阻挡层上方形成功能层的步骤包括：

在所述阻挡层上方依次形成支撑层、第一电极层、压电层和第二电极层。

其中，蚀刻所述衬底的下表面以形成空腔的步骤包括：

光刻和深硅蚀刻直至露出的所述阻挡层的下表面与所述衬底的上表面平齐；

进一步地湿法蚀刻直至露出所述功能层，从而形成所述空腔。

其中，所述阻挡层的侧壁暴露在所述空腔内。

本申请利用阻挡层和衬底的材料具有不同的蚀刻选择比，在进行光刻、深硅蚀刻和湿法蚀刻后能获得的空腔的上顶角接近于90度，从而有利于空腔上方的功能层保持一致性。而且，晶圆的中间区域和边缘区域的空腔尺寸相对一致，进而有利于提高该晶圆的各个半导体结构的一致性。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1至图5示出了根据一些实施例提供的半导体结构的制造方法的中间阶段的示意图。

具体实施方式