[发明专利]一种半导体结构的制造方法在审
申请号: | 202111296963.7 | 申请日: | 2021-10-29 |
公开(公告)号: | CN114014259A | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 夏永禄;刘端 | 申请(专利权)人: | 安徽奥飞声学科技有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00;H01L41/332 |
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地址: | 230092 安徽省合肥市高新区习友路333*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 结构 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构的制造方法,其特征在于,包括:
提供具有环形凹槽的衬底;
在所述衬底的上表面形成阻挡层,所述阻挡层填充所述环形凹槽;
在所述阻挡层上方形成功能层;
蚀刻所述衬底的下表面以形成空腔,直至到达所述功能层时停止蚀刻。
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法,其特征在于,形成所述阻挡层的方法包括:热氧化所述衬底以形成所述阻挡层。
3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法,其特征在于,所述衬底的材料包括硅,热氧化后形成阻挡层的材料包括氧化硅。
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法,其特征在于,所述氧化硅的厚度为0.1um至3um。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法,其特征在于,形成所述阻挡层的步骤包括:在所述衬底的上表面形成金属层,所述金属层填充所述环形凹槽。
6.根据权利要求5所述的半导体结构的制造方法,其特征在于,所述金属层的材料包括铝、钨、铜、金。
7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法,其特征在于,在所述阻挡层上方形成功能层的步骤包括:
在所述阻挡层上方依次形成支撑层、第一电极层、压电层和第二电极层。
8.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法,其特征在于,蚀刻所述衬底的下表面以形成空腔的步骤包括:
光刻和深硅蚀刻直至露出的所述阻挡层的下表面与所述衬底的上表面平齐;
进一步地湿法蚀刻直至露出所述功能层,从而形成所述空腔。
9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法,其特征在于,所述阻挡层的侧壁暴露在所述空腔内。
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