[发明专利]半导体元件的测试键结构在审
| 申请号： | 202111293871.3 | 申请日： | 2021-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN116072655A | 公开（公告）日： | 2023-05-05 |
| 发明（设计）人： | 周湘湘;王翔;何荣;顾海龙;黄清俊;谈文毅 | 申请（专利权）人： | 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 361101 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件的测试键结构，包括基底，位于基底上的第一层间介电层、位于第一层间介电层中的第一虚设结构、位于第一层间介电层和第一虚设结构上的第二层间介电层，以及位于第二层间介电层中的测试结构。第一虚设结构包括沿着第一方向延伸的第一边缘。测试结构包括多个测试线段沿着第一方向平行排列且沿着第二方向延伸跨过第一虚设结构的第一边缘，其中第一方向与第二方向互相垂直。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 测试 结构 | ||
【主权项】：
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