[发明专利]半导体元件的测试键结构

说明书

本发明公开一种半导体元件的测试键结构，包括基底，位于基底上的第一层间介电层、位于第一层间介电层中的第一虚设结构、位于第一层间介电层和第一虚设结构上的第二层间介电层，以及位于第二层间介电层中的测试结构。第一虚设结构包括沿着第一方向延伸的第一边缘。测试结构包括多个测试线段沿着第一方向平行排列且沿着第二方向延伸跨过第一虚设结构的第一边缘，其中第一方向与第二方向互相垂直。

技术领域

本发明涉及一种半导体元件的测试键结构，特别是涉及一种用于监测半导体元件的金属内连线结构的制作工艺的测试键结构。

背景技术

半导体元件的制作工艺包括许多步骤，例如薄膜沉积、光刻、蚀刻、平坦化等制作工艺。制作半导体元件时，通常会在不同的制作工艺阶段插入测量步骤，对晶片上的测试键结构进行测量，再分析测得的数据来监控制作工艺，以能够及时反应线上制作工艺异常并且确保芯片区的电路结构的尺寸可符合设计规格。因此，测试键结构的设计必须能够准确反应制作工艺的实际情况。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体元件的测试键结构。更具体的说，本发明提供了一种用于监测半导体元件的金属内连线结构的测试键结构，其特别是在当层(待测层)金属层所构成的测试结构的下方设置由前层金属层所构成的虚设结构，使测试结构的测量结果可反应出前层金属层/层间介电层的平坦度对所造成的影响，所获得的测量结果能够较准确地反应出芯片区内的金属内连线结构的实际情况。

根据本发明一实施例提供的一种半导体元件的测试键结构，包括一第一层间介电层位于一基底上、一第一虚设结构位于该第一层间介电层中，包括沿着一第一方向延伸的一第一边缘、一第二层间介电层，位于该第一层间介电层上、一测试结构位于该第二层间介电层中，包括多个测试线段沿着该第一方向平行排列且沿着一第二方向延伸跨过该第一虚设结构的该第一边缘，其中该第一方向与该第二方向互相垂直。

附图说明

图1为本发明一实施例的半导体元件的平面示意图；

图2A为本发明一实施例的半导体元件的测试键结构的平面示意图；

图2B为沿着图2A中AA’切线切过测试键结构的剖面示意图；

图3为本发明一实施例的半导体元件的测试键结构的平面示意图；

图4为本发明一实施例的半导体元件的测试键结构的平面示意图；

图5A为本发明一实施例的半导体元件的测试键结构的平面示意图；

图5B为沿着图5A中AA’切线切过测试键结构的剖面示意图；

图6为本发明一实施例的半导体元件的测试键结构的平面示意图；

图7为本发明一实施例的半导体元件的测试键结构的平面示意图；

图8为本发明一实施例的半导体元件的测试键结构的剖面示意图。

主要元件符号说明

100         晶片

102         芯片区

104         切割道区

106         测试键区

10          测试键结构

12          基底

14          层间介电层

16          层间介电层

18          虚设结构

20          测试结构