[发明专利]一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法有效
| 申请号： | 202111291705.X | 申请日： | 2021-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN113714889B | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 沈浩;徐秋峰;朱海瀛;宋岩岩;张伟明;汪万盾;张芹 | 申请（专利权）人： | 天通控股股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B9/06 | 分类号： | B24B9/06;B24B41/06;B24B29/00;B24B49/00;B24B41/00;C30B33/10 |
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| 地址： | 314412 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法。包括：采用边缘倒角对晶片边缘加工成R型角；采用硝酸和氢氟酸的混合溶液对铌酸锂晶片进行化学腐蚀；将腐蚀后的晶片层叠在边缘抛光夹具内，采用水松皮纸间隔晶片；将层叠好的晶片进行边缘粗抛光加工，所采用的抛光液由水，二氧化硅，乙二胺四乙酸盐，氧化半胱氨酸，三聚磷酸钠组成的混合溶液；将边缘粗抛光好的晶片进行边缘精抛光加工，所采用的精抛光液由水，二氧化硅，亚甲基二膦酸，异白氨酸，三乙基己基磷酸组成的混合溶液最终可以得到一种大尺寸超薄铌酸锂晶片，边缘光洁高，真圆度好，良率高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 超薄 高精度 铌酸锂 晶片 边缘 加工 方法 | ||
【主权项】：
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