[发明专利]一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法

权利要求书

1.一种大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法，其特征在于，包括下列具体步骤：

a)将铌酸锂晶片放入边缘倒角机内，使用500#~1000#的R型金属砂轮进行第一次晶片边缘加工，去除量为0.1mm~0.3mm,再使用1500#~3000#的R型金属砂轮进行第二次晶片边缘加工，去除量为0.05mm~0.10mm，获得边缘为R型的铌酸锂晶片；

b)将步骤a获得的铌酸锂晶片置于盛有硝酸和氢氟酸均匀混合溶液的密封容器中进行化学腐蚀，获得充分去除边缘应力的铌酸锂晶片；

c)将步骤b获得的铌酸锂晶片放在边缘抛光夹具上，在晶片上放置水松皮纸作为间隔，然后再放置晶片，重复此动作进行叠片，同时晶片紧靠定位挡板，使晶片保持在同一中心位置，晶片层叠好后，在晶片上施加压力将其固定，获得待抛光的铌酸锂晶片；

d)将步骤c获得的铌酸锂晶片及夹具固定在边缘抛光机内的加工平台上，将粗抛光毛刷移动至与晶片接触1mm~3mm位置，并将此位置坐标设定为加工坐标，然后将粗抛光毛刷复位至待加工位置后开始加工作业，粗抛光毛刷以1500rpm~3000rpm的速度进行旋转并移动至加工坐标，同时加工平台与晶片以30rpm~50rpm的速度进行旋转，抛光液通过设备内管路喷在晶片与毛刷上进行抛光作业，加工时间10min~30min获得边缘粗抛光的铌酸锂晶片；

e)将步骤d获得的铌酸锂晶片及夹具从边缘粗抛光机内取出，放入边缘精抛光机内的加工平台上进行边缘精抛光作业，将精抛光毛刷移动至与晶片接触1mm~3mm位置，并将此位置坐标设定为加工坐标，然后将精抛光毛刷复位至待加工位置后开始加工作业，精抛光毛刷以500rpm~1500rpm的速度进行旋转，同时加工平台与晶片以30rpm~50rpm的速度进行旋转，抛光液通过设备内管路喷在晶片与毛刷上进行抛光作业，加工时间10min~20min，晶片边缘光洁度＜1nm，真圆度＜0.03mm，晶片直径≥200mm，厚度＜200μm，获得边缘抛光后的铌酸锂晶片，加工良率＞98%。

2.如权利要求1所述的大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法，其特征在于，所述步骤a中，金属砂轮以2000rpm~4000rpm高速旋转，倒角机平台上晶片接触金属砂轮后，以0.5rpm~1.0rpm的速度进行旋转，同时两侧有纯水喷射在晶片与金属砂轮之间进行冷却，直至完成倒角加工。

3.如权利要求1所述的大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法，其特征在于，所述步骤b中，铌酸锂晶片在盛有硝酸和氢氟酸均匀混合溶液的密封容器中进行化学腐蚀，腐蚀温度为15℃~25℃，腐蚀时间为1~6小时。

4.如权利要求1所述的大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法，其特征在于，所述步骤c中，水松皮纸厚度为0.3mm~1mm。

5.如权利要求1所述的大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法，其特征在于，所述步骤c中，晶片层叠好后，使用1kg~6kg的力将晶片固定，获得待抛光的铌酸锂晶片。

6.如权利要求1所述的大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法，其特征在于，所述步骤d中，所采用的毛刷材料为尼龙，毛刷毛径为0.20mm~0.50mm。

7.如权利要求1所述的大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法，其特征在于，所述步骤e中，所采用的毛刷材料为尼龙，毛刷毛径为0.03mm~0.20mm。

8.如权利要求1-7任一所述的大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法，其特征在于，所述步骤d中，所用抛光液的各成分质量分数为水35%~60%，二氧化硅35%~45%，乙二胺四乙酸盐5%~20%，氧化半胱氨酸5%~20%，三聚磷酸钠5%~10%。

9.如权利要求1-7任一所述的大尺寸超薄高精度铌酸锂晶片边缘加工方法，其特征在于，所述步骤e中，所用抛光液的各成分质量分数为水35%~60%，二氧化硅35%~45%，亚甲基二膦酸5%~20%，异白氨酸5%~20%，三乙基己基磷酸5%~10%。