[发明专利]闪存存储器的制造方法

摘要

本发明提供一种闪存存储器的制造方法，通过利用同一低压化学气相炉管对多个衬底执行低压化学气相沉积工艺，在每个所述衬底上形成侧墙材料层，可减少多个侧墙材料层的形成工艺时间、节省制程时间以及提高制程效率。在形成侧墙材料层之后，测量每个所述衬底上的所述侧墙材料层的厚度，以得到每个所述衬底上的所述侧墙材料层的厚度与所述侧墙材料层的目标厚度的差值，然后根据每个所述衬底上的所述侧墙材料层的厚度与所述侧墙材料层的目标厚度的差值，对每个所述衬底上的所述侧墙材料层进行湿法刻蚀，使所述侧墙材料层的厚度减至所述目标厚度，增大字线的工艺窗口，进而解决因字线工艺窗口的尺寸较小而造成的字线尺寸较小以及编程失效的问题。