[发明专利]闪存存储器的制造方法

权利要求书

1.一种闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述闪存存储器的制造方法包括：

提供多个衬底，每个所述衬底上依次形成有栅堆叠层和图形化的硬掩膜层，所述图形化的硬掩膜层中具有多个硬掩膜开口，每个所述硬掩膜开口均暴露出部分所述栅堆叠层，其中，每个所述衬底上的所述多个硬掩膜开口按照相同的密度分布，且所述多个衬底中的至少两个衬底上的硬掩膜开口的密度分布不同；

利用同一低压化学气相炉管对所述多个衬底执行低压化学气相沉积工艺，以在每个所述衬底上形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖所述硬掩膜开口的侧壁和底壁以及所述图形化的硬掩膜层；

测量每个所述衬底上的所述侧墙材料层的厚度，并计算每个所述衬底上的所述侧墙材料层的厚度与所述侧墙材料层的目标厚度的差值；

根据每个所述衬底上的所述侧墙材料层的厚度与所述侧墙材料层的目标厚度的差值，对每个所述衬底上的所述侧墙材料层进行预设时间的湿法刻蚀，以使每个所述衬底上的所述侧墙材料层的厚度减至所述目标厚度；以及，

对湿法刻蚀后的所述侧墙材料层进行干法刻蚀，以形成侧墙层，所述侧墙层覆盖所述硬掩膜开口的侧壁。

2.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，对每个所述衬底上的所述侧墙材料层进行湿法刻蚀的方法包括：

根据每个所述衬底上的所述侧墙材料层的厚度与所述侧墙材料层的目标厚度的差值，预设所述侧墙材料层的湿法刻蚀的工艺时间；以及，

根据预设的所述侧墙材料层的湿法刻蚀的工艺时间，对所述侧墙材料层进行湿法刻蚀。

3.如权利要求1或2所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，每个所述衬底上的所述侧墙材料层的材质均为氧化硅。

4.如权利要求3所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，在50℃～70℃的条件下，对每个所述衬底上的所述侧墙材料层进行预定时间的湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的刻蚀液为氨水、双氧水和去离子水的混合溶液，所述氨水、双氧水和去离子水的混合溶液中的氨水、双氧水与去离子水的体积比为1:2：20～1:2:40，所述预设时间为100s～1000s。

5.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，利用椭圆偏振仪测量每个所述衬底上的所述侧墙材料层的厚度。

6.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，在利用同一热氧化炉管低压化学气相炉管对所述多个衬底执行低压化学气相沉积工艺时，所述低压化学气相沉积工艺采用的气体包括二氯硅烷和一氧化二氮。

7.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述侧墙层之后，在对所述侧墙材料层进行干法刻蚀之前，所述闪存存储器的制造方法还包括：

对每个所述衬底进行干燥处理，以去除所述衬底上的水汽，其中，所述干燥处理的温度为26℃～30℃。

8.如权利要求7所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，利用异丙醇来进行所述干燥处理。

9.如权利要求1所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，在形成所述侧墙层之后，所述闪存存储器的制造方法还包括：

以所述侧墙层和所述图形化的硬掩膜层为掩膜，自对准刻蚀所述硬掩膜开口中暴露出的所述栅堆叠层以形成字线开口。

10.如权利要求9所述的闪存存储器的制造方法，其特征在于，所述栅堆叠层包括自下而上依次层叠的浮栅氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层，所述字线开口贯穿所述控制栅层、所述栅间介质层、所述浮栅层和所述浮栅氧化层。