[发明专利]闪存存储器的制造方法

说明书

本发明提供一种闪存存储器的制造方法，通过利用同一低压化学气相炉管对多个衬底执行低压化学气相沉积工艺，在每个所述衬底上形成侧墙材料层，可减少多个侧墙材料层的形成工艺时间、节省制程时间以及提高制程效率。在形成侧墙材料层之后，测量每个所述衬底上的所述侧墙材料层的厚度，以得到每个所述衬底上的所述侧墙材料层的厚度与所述侧墙材料层的目标厚度的差值，然后根据每个所述衬底上的所述侧墙材料层的厚度与所述侧墙材料层的目标厚度的差值，对每个所述衬底上的所述侧墙材料层进行湿法刻蚀，使所述侧墙材料层的厚度减至所述目标厚度，增大字线的工艺窗口，进而解决因字线工艺窗口的尺寸较小而造成的字线尺寸较小以及编程失效的问题。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种闪存存储器的制造方法。

背景技术

在现有的集成电路中，存储器已成为一种重要器件。在目前的存储器中，闪存(Flash Memory)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息；且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。

一般的，闪存存储器的制造方法包括：如图1所示，步骤一，提供衬底10，衬底10上依次形成有栅堆叠层11和硬掩膜层，硬掩膜层中具有多个开口；步骤二，在衬底10的全局表面上形成侧墙材料层12；步骤三，刻蚀所述侧墙材料层12以形成覆盖所述开口侧壁的侧墙层；步骤四，以侧墙层为掩膜刻蚀所述开口中的栅堆叠层11，以形成字线开口，所述字线开口用于定义字线的位置。但在步骤二中，为了满足不同的工艺需求，不同的衬底10上的硬掩膜层中的多个开口的密度不同(即硬掩膜层中的开口所占用的衬底10的面积不同)，在相同的工艺条件下，硬掩膜层中的开口的密度越大，所形成的侧墙材料层12的厚度尺寸越小，硬掩膜层中的开口的密度越小，所形成的侧墙材料层12的厚度尺寸越大，为了使侧墙材料层12的厚度满足工艺需要，在形成侧墙材料层12时，需根据硬掩膜层中的开口的密度来分别控制侧墙材料层12的工艺条件，因此导致工艺时间较长。

并且，在步骤四中，开口的两侧壁上的侧墙层界定出字线开口的位置，开口的两侧壁上的侧墙层的厚度会影响字线开口的尺寸，即侧墙层的厚度尺寸越大，开口的两侧壁上的侧墙层之间的间距越小，因此字线开口的尺寸也越小，后续所形成的字线的尺寸也越小。而开口的两侧壁上的侧墙层之间的间距由步骤三中所形成的侧墙材料层12中的凹槽12a决定，当开口的两侧壁上的侧墙材料层12的厚度大于侧墙层的目标厚度时，较容易造成开口的两侧壁上的侧墙材料层12接触在一起(或者间距较小)，并会阻挡后续对栅堆叠层11的刻蚀，导致字线工艺窗口的尺寸减小，从而影响字线编程，导致闪存存储器出现编程失效的问题。

发明内容

本发明的一目的在于提供一种闪存存储器的制造方法，以减少多个侧墙的形成工艺时间、节省制程时间以及提高制程效率。

本发明的另一目的在于，使侧墙层的实际厚度与侧墙层的目标厚度相同，增大字线的工艺窗口，从而解决因字线工艺窗口的尺寸较小而造成的字线尺寸较小以及编程失效的问题。

为实现上述目的，本发明提供一种闪存存储器的制造方法，包括：提供多个衬底，每个所述衬底上依次形成有栅堆叠层和图形化的硬掩膜层，所述图形化的硬掩膜层中具有多个硬掩膜开口，每个所述硬掩膜开口均暴露出部分所述栅堆叠层，其中，每个所述衬底上的所述多个硬掩膜开口按照相同的密度分布，且所述多个衬底中的至少两个衬底上的硬掩膜开口的密度分布不同；

利用同一低压化学气相炉管对所述多个衬底执行低压化学气相沉积工艺，以在每个所述衬底上形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖所述硬掩膜开口的侧壁和底壁以及所述图形化的硬掩膜层；

测量每个所述衬底上的所述侧墙材料层的厚度，并计算每个所述衬底上的所述侧墙材料层的厚度与所述侧墙材料层的目标厚度的差值；