[发明专利]一种半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202111277377.8 | 申请日： | 2021-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN114023630A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 毛永吉;叶甜春;朱纪军;罗军;赵杰;王云 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 510535 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种半导体结构的制造方法，该方法包括：提供衬底；在衬底上形成硬掩膜层；在硬掩膜层上形成光阻层；光刻光阻层形成至少一个第一沟槽；第一沟槽贯穿光阻层；对第一沟槽的至少一个光阻层侧壁进行粒子注入；蚀刻硬掩膜层形成至少一个第二沟槽；第二沟槽贯穿硬掩膜层。由于对光阻进行了粒子注入，改性了光阻，减少了进行蚀刻时，光阻被蚀刻而产生并沉积在硬掩膜层上的产物，从而减少了不同方向的图形特征尺寸微缩程度的差异，可以准确得到需要的图形特征尺寸，从而提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
