[发明专利]一种半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成硬掩膜层；

在所述硬掩膜层上形成光阻层；

光刻所述光阻层形成至少一个第一沟槽；所述第一沟槽贯穿所述光阻层；

对所述第一沟槽的至少一个光阻层侧壁进行粒子注入；

蚀刻所述硬掩膜层形成至少一个第二沟槽；所述第二沟槽贯穿所述硬掩膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述粒子包括：硼离子、自由基或中性原子。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述第一沟槽的至少一个光阻层侧壁进行粒子注入，包括:

所述第一沟槽为长方体；对所述第一沟槽的相对的两个光阻层侧壁进行粒子注入。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对所述第一沟槽的相对的两个光阻层侧壁进行粒子注入，包括：

对所述第一沟槽的相对的两个侧面的光阻层侧壁进行粒子注入；所述侧面为由所述长方体的宽和高组成的面；所述长方体的宽为相对于所述长方体的长较短的一边。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对所述第一沟槽的相对的两个侧面的光阻层侧壁进行粒子注入，包括：

对所述第一沟槽的相对的两个侧面的光阻层侧壁进行第一次粒子注入；所述第一次粒子注入的角度为15-30度；

对所述第一沟槽的相对的两个侧面的光阻层侧壁进行第二次粒子注入；所述第二次粒子注入的角度为150-165度；所述角度为与所述垂直于所述衬底的方向所成的夹角的大小；所述第一次粒子注入的能量为50-150eV。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述蚀刻为干法蚀刻；所述蚀刻的气体为氟化物气体。

7.根据权利要求1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述衬底的厚度为1500-2500A；所述硬掩膜层的厚度为150-500A；所述光阻层的厚度为600-900A。

8.根据权利1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括：

基于氧化硅的硬掩膜层或先进图案化膜层。

9.根据权利1-5任意一项所述的方法，其特征在于，所述衬底包括有机掩膜层。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述有机掩膜层包括依次层叠的氮掺杂碳化硅层、氮化钛层、无氮抗反射涂层和碳涂层；所述碳涂层位于靠近所述硬掩膜层的一侧。