[发明专利]一种光学邻近修正方法及版图加工设备在审
| 申请号： | 202111268010.X | 申请日： | 2022-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN114047666A | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 王英磊;曾鼎程 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F7/20;G06F30/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于微电子技术领域，涉及一种光学邻近修正方法及版图加工设备；通过将虚拟图案转化为环境参数，使得光学邻近修正的运算量较少，提升了模型求解的效率；结合SRAF图形，本发明的方法可以提升光学邻近修正对特征图形转移的分辨率和效率；其中，模型的求解时间降低至现有方法的一半以下。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光学 邻近 修正 方法 版图 加工 设备 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
