[发明专利]一种光学邻近修正方法及版图加工设备在审
申请号: | 202111268010.X | 申请日: | 2022-01-17 |
公开(公告)号: | CN114047666A | 公开(公告)日: | 2022-02-15 |
发明(设计)人: | 王英磊;曾鼎程 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36;G03F7/20;G06F30/20 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王江富 |
地址: | 201203*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光学 邻近 修正 方法 版图 加工 设备 | ||
1.一种光学邻近修正方法,其特征在于,包括:
数据采集步骤(10):
获取第一特征图形(100);其中,所述第一特征图形(100)为光学邻近修正前的特征图形数据;
获取第二特征图形;其中,所述第二特征图形为虚拟图案,所述第二特征图形与所述第一特征图形结合后用于离线或在线测试和/或仿真所述第一特征图形的第一光学邻近修正,所述第一特征图形的第一光学邻近修正数据作为参数用于所述第一特征图形的后续修正;
获取第一环境向量;其中,所述第一环境向量为所述第一特征图形与光学邻近修正相关的环境因子的集合,用于在光学邻近修正中提供参考、给出初始值、参数序列和/或参数值;
环境保障步骤(20):
抽取第一样本图形;其中,所述第一样本图形为所述第二特征图形中预设比例的所述第二特征图形的局部图形;
中间转换步骤(30):
获取第三图形;其中,所述第三图形由所述第一样本图形经过光学修正模型的修正获得;
合成输出步骤(40):
获取第二环境向量;其中,所述第二环境向量用于修正所述第一环境向量;
以所述第二环境向量为预设值,对所述第一特征图形进行第二光学邻近修正(300)。
2.如权利要求1所述的方法,其中:
所述第一特征图形(100)包括需要由设计版图转移到工件表面的特征图形;在所述第二环境向量的支持下,对所述第一特征图形进行第二光学邻近修正(300)。
3.如权利要求2所述的方法,其中:
所述第一特征图形(100)包括深宽比大于10的沟槽和/或孔的特征图形。
4.如权利要求1所述的方法,其中:
所述第一特征图形(100)采用GDS或GDSII文件存储;
读取所述GDS或所述GDSII文件,以所述第二环境向量为参考,用预设的OPC模型对所述第一特征图形进行修正。
5.如权利要求4所述的方法,还包括:
获取第四特征图形,其中所述第四特征图形由所述第一特征图形插入SRAF辅助图形后获得;
采用所述预设的OPC模型对所述第四特征图形进行修正。
6.如权利要求5所述的方法,其中:
所述第一环境向量还包括线宽和孔径参量;所述线宽和孔径基于所述第二环境变量进行修正。
7.一种版图加工设备,包括:
数据采集单元(11)、环境保障单元(22)、中间转换单元(33)、合成输出单元(44);其中:
所述数据采集单元(11)获取第一特征图形(100);所述第一特征图形(100)为光学邻近修正前的特征图形数据;获取第二特征图形;其中,所述第二特征图形为虚拟图案,所述第二特征图形与所述第一特征图形结合后用于离线或在线测试和/或仿真所述第一特征图形的第一光学邻近修正,所述第一特征图形的第一光学邻近修正数据作为参数用于所述第一特征图形的后续修正;获取第一环境向量;其中,所述第一环境向量为所述第一特征图形与光学邻近修正相关的环境因子的集合,用于在光学邻近修正中提供参考、给出初始值、参数序列和/或参数值;
所述环境保障单元(22)抽取第一样本图形;所述第一样本图形为所述第二特征图形中预设比例的所述第二特征图形的局部图形;
所述中间转换单元(33)获取第三图形;所述第三图形由所述第一样本图形经过光学修正模型的修正获得;
所述合成输出步骤(44)获取第二环境向量,所述第二环境向量用于修正所述第一环境向量;以所述第二环境向量为预设值,对所述第一特征图形进行第二光学邻近修正(300)。
8.如权利要求7所述的设备,其中:
所述第一特征图形(100)包括需要由设计版图转移到工件表面的特征图形;在所述第二环境向量的支持下,对所述第一特征图形进行第二光学邻近修正(300);
所述第一特征图形(100)包括深宽比大于10的沟槽和/或孔的特征图形。
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G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备