[发明专利]一种光学邻近修正方法及版图加工设备

说明书

本发明属于微电子技术领域，涉及一种光学邻近修正方法及版图加工设备；通过将虚拟图案转化为环境参数，使得光学邻近修正的运算量较少，提升了模型求解的效率；结合SRAF图形，本发明的方法可以提升光学邻近修正对特征图形转移的分辨率和效率；其中，模型的求解时间降低至现有方法的一半以下。

技术领域

本发明属于法微电子技术领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法及版图加工设备。

背景技术

虚拟图案DP（Dummy Pattern）在光学邻近修正OPC（Optical ProximityCorrection）过程中经常被采用；通常，DP被插入主图案MP（Main Patter）；然后，对DP与MP一同进行OPC修正。基于此，上述OPC过程的处理需要耗用CPU（Central Processing Unit）过多的时间，往往难以满足资源和效率需求。

发明内容

本发明公开了一种光学邻近修正方法，将虚拟图案转化为环境参数，使得光学邻近修正的运算量较少，提升了模型求解的效率；结合SRAF图形，还提升了光学邻近修正对特征图形转移的分辨率和效率；其中，模型的求解时间降低至现有方法的一半以下。

该方法包括数据采集步骤、环境保障步骤、中间转换步骤和合成输出步骤。其中，数据采集步骤获取第一特征图形；该第一特征图形为光学邻近修正前的特征图形数据；进而获取第二特征图形，即虚拟图案，该第二特征图形与第一特征图形结合后用于离线或在线测试和/或仿真第一特征图形的第一光学邻近修正，第一特征图形的第一光学邻近修正数据作为参数用于第一特征图形的后续修正。

进一步地，通过获取第一环境向量；获得修正过程的初始条件；该第一环境向量为第一特征图形与光学邻近修正相关的环境因子的集合，用于在光学邻近修正中提供参考、给出初始值、参数序列和/或参数值。

环境保障步骤抽取第一样本图形；其中，第一样本图形为第二特征图形中预设比例的第二特征图形的局部图形。

中间转换步骤获取第三图形；其中，第三图形由第一样本图形经过光学修正模型的修正获得。

合成输出步骤获取第二环境向量；其中，第二环境向量用于修正第一环境向量；以第二环境向量为预设值，对第一特征图形进行第二光学邻近修正。

进一步地，第一特征图形包括需要由设计版图转移到工件表面的特征图形；在第二环境向量的支持下，对第一特征图形进行第二光学邻近修正。

其中，第一特征图形可以包括深宽比大于10的沟槽和/或孔的特征图形。

进一步地，第一特征图形可以采用GDS或GDSII文件存储；通过读取GDS或GDSII文件，以第二环境向量为参考，用预设的OPC模型对第一特征图形进行修正。

通过获取第四特征图形，其中第四特征图形由第一特征图形插入SRAF辅助图形后获得；采用预设的OPC模型对第四特征图形进行修正。

进一步地，第一环境向量还包括线宽和孔径参量；该线宽和孔径基于第二环境变量进行修正。

与本发明方法相应，还公开了一种版图加工设备，包括数据采集单元、环境保障单元、中间转换单元以及合成输出单元。

其中，数据采集单元获取第一特征图形；第一特征图形为光学邻近修正前的特征图形数据；获取第二特征图形；其中，第二特征图形为虚拟图案，第二特征图形与第一特征图形结合后用于离线或在线测试和/或仿真第一特征图形的第一光学邻近修正，第一特征图形的第一光学邻近修正数据作为参数用于所述第一特征图形的后续修正；获取第一环境向量；其中，第一环境向量为第一特征图形与光学邻近修正相关的环境因子的集合，用于在光学邻近修正中提供参考、给出初始值、参数序列和/或参数值。