[发明专利]一种提效降本的太阳能电池硼扩散方法在审
| 申请号： | 202111238122.0 | 申请日： | 2021-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN114023635A | 公开（公告）日： | 2022-02-08 |
| 发明（设计）人： | 欧文凯;董思敏;向亮睿 | 申请（专利权）人： | 普乐新能源科技（徐州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223;H01L31/20 |
| 代理公司： | 北京喆翙知识产权代理有限公司 11616 | 代理人： | 梁永昌 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州市高新技*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种提效降本的太阳能电池硼扩散方法，兼顾提升效率同时，改善管式硼扩散维护成本偏高的问题，具体包括：步骤一：N型硅片正面生长硼掺杂非晶硅；步骤二：非晶硅高温晶化并完成硼掺杂；本发明提高晶硅表层掺硼激活率改善效率，同时避开了常规管式硼扩散预沉积过程中，由于反应产物B |
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| 搜索关键词： | 一种 提效降 太阳能电池 扩散 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
