[发明专利]一种提效降本的太阳能电池硼扩散方法

权利要求书

1.一种提效降本的太阳能电池硼扩散方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

步骤一：采用PECVD的方式在N型硅片上沉积掺杂非晶硅层，考虑到管式硼扩散，硼掺杂非晶硅沉积厚度在100nm-200nm，为使得硼原子均匀分布在膜层中，生长非晶硅层过程同时通入硼源；

步骤二：将步骤一后的硅片进行高温退火并完成硼掺杂：

1)将硅片送入炉管，氮气氛围下升温至900℃-1000℃，N₂流量控制在1000-3000sccm；

2)氮气氛围下掺杂非晶硅层进行高温晶化及杂质分布，温度稳定在900℃-1000℃，N₂流量控制在1000sccm-3000sccm，时间控制在30min-200min，晶化过程实现硼原子在硅中的原位掺杂，达到替位扩散效果，激活杂质硼原子，多余的硼原子以间隙/替位扩散的方式继续向硅中扩散；

3)氮、氧气氛围下掺杂晶硅层进行杂质再分布，温度稳定在900℃-1000℃，N₂流量控制在1000sccm-3000sccm，O₂流量控制在1000sccm-3000sccm，时间控制在20min-40min，降低表面杂质浓度同时实现结深要求；

4)氮气氛围下降温退火至800℃并出管，N₂流量控制在1000sccm-3000sccm。

2.根据权利要求1所述的一种提效降本的太阳能电池硼扩散方法，其特征在于：所述N型硅片作为衬底材料，通过清洗制绒使硅片表面产生金字塔状表面结构。

3.根据权利要求1所述的一种提效降本的太阳能电池硼扩散方法，其特征在于：所述正面硼掺杂非晶硅厚度在100nm-500nm，掺杂源为BH₃。

4.根据权利要求1所述的一种提效降本的太阳能电池硼扩散方法，其特征在于：所述非晶硅高温退火并完成硼掺杂，退火温度在900℃-1000℃，N₂流量在1000sccm-3000sccm，O₂流量在1000sccm-3000sccm。