[发明专利]从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法有效
| 申请号： | 202111231122.8 | 申请日： | 2021-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN113846232B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 衷水平;范大游;苏秀珠;王俊娥;林文贤;刘兴财;唐定;陈杭;朱莞烨 | 申请（专利权）人： | 紫金矿业集团黄金珠宝有限公司 |
| 主分类号： | C22B11/00 | 分类号： | C22B11/00;C22B11/02;C22B7/00;C22B1/02;C22B1/00;B22F9/24 |
| 代理公司： | 北京君琅知识产权代理有限公司 16017 | 代理人： | 陈建 |
| 地址： | 361100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法，采用碱液‑氧化剂复合溶液强化分离塑料基体和合金料，分离速度快及兼顾脱除杂质铝，避免大量铝进入金、铂浸出液中，减小杂质对后续金、铂高纯化的影响；采用盐酸‑硝酸混合浸出剂实现对金选择性浸出，通过焙烧法使得金属钛转化为难溶的二氧化钛，提前除杂，大幅降低铂浸出液中杂质含量，获得高回收率、高纯度铂精炼工艺。解决了现有废蓝膜片中贵金属回收技术存在的环保成本高、药剂耗量大、设备投资成本高、工艺流程长、回收率低的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 用废蓝 膜片 提取 贵金属 制备 纯金 方法 | ||
【主权项】：
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