[发明专利]从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法

权利要求书

1.从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法，其特征在于，具体过程为：

S1、预处理：

采用浸出液对半导体用废蓝膜片进行浸出，实现蓝膜基体和合金料的分离及杂质铝的脱除；浸出液中碱的质量浓度为1％-25％，氧化剂的体积分数为0-15％；所述氧化剂为双氧水；

S2、将步骤S1中分离获得的合金料置于反应釜中，加入硝酸和盐酸的混合溶液选择性浸出金；浸出后过滤，得到分金液和分金渣；

S3、金分离与高纯化：

S3.1、将步骤S2所得分金液进行水解除杂，过滤后，滤液中加入亚硫酸钠进行还原，待溶液电位降低至450-550mv时为反应终点，过滤后得到金粉和沉金液；

S3.2、在步骤S3.1所得的沉金液中加入水合肼进行深度还原，反应结束后过滤后得到粗金粉，粗金粉返回步骤S2，滤液则送废水处理；

S4、铂分离与高纯化：将步骤S2所得的分金渣进行焙烧转型，使得Ti转化为TiO₂，然后选择性浸出Pt。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S1中，浸出条件为温度25℃，时间15min-3h。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2中，混合溶液中，盐酸与硝酸的体积比3-5∶1，混合溶液和合金料的液固比按体积质量比为1.5-3∶1，浸出条件为温度60-85℃，时间1-2h。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S4的具体过程为：

S4.1、将分金渣置于马弗炉中进行焙烧；

S4.2、焙烧后所得渣料采用盐酸-氯酸钠溶液浸出，反应结束后，过滤，获得一次滤液和滤渣，滤渣返回进行二次浸出，获得二次滤液和二次滤渣；将一次滤液和二次滤液合并得到合并滤液，采用稀氢氧化钠溶液调碱，直到pH＝4-5，加入过量氯化铵，获得黄色沉淀物，用稀氯化铵溶液洗涤后，用水合肼还原获得铂粉。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤S4.2中，盐酸-氯酸钠溶液中，盐酸的浓度为35g/L-60g/L，所含氯化钠的质量与合金料中的金的质量比为3-6∶1。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤S4.2中，浸出温度80℃-95℃，时间2-3小时。

7.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤S4.2中，氯化铵与合并滤液中的铂的摩尔比是3：1，加入过量氯化铵后在室温下反应1-2h。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤S4.1中，焙烧温度700℃-950℃，焙烧时间1-3小时。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3.1中，还原的反应条件为控制pH＝4-5，温度55-65℃。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3.2中，深度还原的反应条件为控制pH＝4-5，时间1-2h，温度50-80℃。