[发明专利]从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法

说明书

本发明公开了一种从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法，采用碱液‑氧化剂复合溶液强化分离塑料基体和合金料，分离速度快及兼顾脱除杂质铝，避免大量铝进入金、铂浸出液中，减小杂质对后续金、铂高纯化的影响；采用盐酸‑硝酸混合浸出剂实现对金选择性浸出，通过焙烧法使得金属钛转化为难溶的二氧化钛，提前除杂，大幅降低铂浸出液中杂质含量，获得高回收率、高纯度铂精炼工艺。解决了现有废蓝膜片中贵金属回收技术存在的环保成本高、药剂耗量大、设备投资成本高、工艺流程长、回收率低的缺点。

技术领域

本发明涉及废料中贵金属提取精炼技术领域，具体涉及一种从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法。

背景技术

贵金属具有良好的化学稳定性，高电导率和热导率，特有的电学、磁学、光学等性能，广泛用于微电子技术，如半导体器件的欧姆接触、线路、键合、密封等，成为提高半导体器件性能必不可少的金属。现代电子行业飞速发展，对材料的要求越来越高，而黄金具有其他金属无法替代的高稳定性。同时，电子产品日益微型化，单位用金量很小，对产品成本不构成威胁。因此越来越多的电子元件可以使用金作原材料。工业用金量占总量约10％，存在利用率低、返料率高、废料种类复杂等问题。如金在电子产品的利用率仅占2％，约98％含金废料待回收，含金废料主要为不良LED芯片、贵金属靶材废料、废蓝膜片、废金丝金线、废圆晶片或边角料及含金内衬板等。其中废蓝膜片中贵金属量约占比总废料贵金属的一半。目前含贵金属废蓝膜片预处理方法有焙烧法、湿法剥离(无机溶剂、有机溶剂)。焙烧法优点是处理流程短，焙烧后直接获得合金料，缺点是投资成本高，需购置焚烧炉、烟气处理装置(焙烧产出大量有害气体烟气需进行处理)，环保成本高。采用有机溶剂湿法剥离，优点是易规模化、自动化生产，缺点是该法流程长、对生产装备要求高、药剂耗量大、药剂易挥发对人体危害大、废液难处置等问题。采用无机溶剂湿法剥离，该法也存在处理流程长，处理过程机械化程度低、效率较低等问题。

中国专利申请CN102277497A提供了一种从废旧电路板中回收金、钯、铂、银的方法，该技术方案的思路是通过低温焙烧除去塑料杂质，用硝酸溶解分离银、钯，溶解完银、钯的渣用盐酸和高氯酸溶解铂、金，采用盐酸-高氯酸溶液体系溶解金铂合金，耗时长，需5-10h，高浓度金、铂混合溶液，为了得到高纯铂粉和金粉需多次分离提纯。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明旨在提供一种从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法，

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

从半导体用废蓝膜片中提取贵金属制备高纯金、铂的方法，具体过程为：

S1、预处理：

采用浸出液对半导体用废蓝膜片进行浸出，实现蓝膜基体和合金料的分离及杂质铝的脱除；

S2、将步骤S1中分离获得的合金料置于反应釜中，加入硝酸和盐酸的混合溶液选择性浸出金；浸出后过滤，得到分金液和分金渣；

S3、金分离与高纯化：

S3.1、将步骤S2所得分金液进行水解除杂，过滤后，滤液中加入亚硫酸钠进行还原，待溶液电位降低至450-550mv时为反应终点，过滤后得到金粉和沉金液；

S3.2、在步骤S3.1所得的沉金液中加入水合肼进行深度还原，反应结束后过滤后得到粗金粉，粗金粉返回步骤S2，滤液则送废水处理；

S4、铂分离与高纯化：将步骤S2所得的分金渣进行焙烧转型，使得Ti转化为TiO₂，然后选择性浸出Pt。

进一步地，步骤S1中，浸出液中碱的质量浓度为1％-25％，氧化剂的体积分数为0-15％；浸出条件为温度25℃，时间15min-3h。