[发明专利]三维存储器的制备方法及光刻掩膜版

摘要

本申请提供制备三维存储器的方法及光刻掩膜版。方法包括：在衬底上形成第一叠层结构；形成贯穿其中并延伸至衬底的第一沟道孔，并采用牺牲层填充第一沟道孔；在第一叠层结构上形成第二叠层结构，并在第二叠层结构远离衬底的表面上形成刻蚀掩膜层；对刻蚀掩膜层进行图案化，以形成第二沟道孔的图案、栅极间隙的图案、虚拟沟道孔的图案和导电接触孔的图案中的至少两个；以图案化的刻蚀掩膜层为掩蔽，刻蚀形成第二沟道孔、栅极间隙、虚拟沟道孔和导电接触孔中的至少两个。本申请提供的制备方法在简化工艺步骤、节省制备成本的同时，通过在多叠层结构的上表面预埋包括多个刻蚀图案的刻蚀掩膜层可提高刻蚀过程的套刻精度，提高三维存储器的整体性能。