[发明专利]三维存储器的制备方法及光刻掩膜版

权利要求书

1.一种制备三维存储器的方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底上形成第一叠层结构；

形成贯穿所述第一叠层结构并延伸至所述衬底的第一沟道孔，并采用牺牲层填充所述第一沟道孔；

在所述第一叠层结构上形成第二叠层结构，并在所述第二叠层结构的、远离所述衬底的表面上形成刻蚀掩膜层；

对所述刻蚀掩膜层进行图案化，以形成第二沟道孔的图案、栅极间隙的图案、虚拟沟道孔的图案以及导电接触孔的图案中的至少两个；以及

以图案化的所述刻蚀掩膜层为掩蔽，刻蚀形成所述第二沟道孔、所述栅极间隙、所述虚拟沟道孔以及所述导电接触孔中的至少两个。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述刻蚀掩膜层进行图案化包括：

在所述刻蚀掩膜层上覆盖第一光刻胶层；

采用光刻工艺将光刻掩膜版的图案转移至所述第一光刻胶层中，其中所述光刻掩膜版的图案包括所述第二沟道孔的图案、所述栅极间隙的图案、所述虚拟沟道孔的图案以及所述导电接触孔的图案中的至少两个；

以图案化的所述第一光刻胶层为掩蔽，刻蚀所述刻蚀掩膜层，以去除所述刻蚀掩膜层的、与所述第一光刻胶层的图案对应的部分并形成多个第一镂空窗口；以及

采用氧化层填充多个所述第一镂空窗口以形成图案化的所述刻蚀掩膜层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用氧化层填充多个所述第一镂空窗口以形成图案化的所述刻蚀掩膜层之后，所述方法还包括：

对图案化的所述刻蚀掩膜层的、远离所述衬底的表面进行平坦化处理。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，

图案化的所述第一光刻胶层中所述第二沟道孔的图案的径向尺寸大于图案化的所述刻蚀掩膜层中所述第二沟道孔的图案的径向尺寸；

图案化的所述第一光刻胶层中所述栅极间隙的图案的宽度大于图案化的所述刻蚀掩膜层中所述栅极间隙的图案的宽度；

图案化的所述第一光刻胶层中所述虚拟沟道孔的图案的径向尺寸大于图案化的所述刻蚀掩膜层中所述虚拟沟道孔的图案的径向尺寸；以及

图案化的所述第一光刻胶层中所述导电接触孔的图案的径向尺寸大于图案化的所述刻蚀掩膜层中所述导电接触孔的图案的径向尺寸。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以图案化的所述刻蚀掩膜层为掩蔽，刻蚀形成所述第二沟道孔包括：

在图案化的所述刻蚀掩膜层上形成第二光刻胶层；

去除所述第二光刻胶层的、与图案化的所述刻蚀掩膜层中所述第二沟道孔的图案对应的部分以在所述第二光刻胶层中形成第二镂空窗口；

经由所述第二镂空窗口，刻蚀形成贯穿所述第二叠层结构并暴露所述牺牲层的所述第二沟道孔；以及

通过所述第二沟道孔去除所述第一沟道孔中的所述牺牲层。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以图案化的所述刻蚀掩膜层为掩蔽，刻蚀形成所述虚拟沟道孔包括：

在图案化的所述刻蚀掩膜层上形成第三光刻胶层；

去除所述第三光刻胶层的、与图案化的所述刻蚀掩膜层中所述虚拟沟道孔的图案对应的部分以在所述第三光刻胶层中形成第三镂空窗口；以及

经由所述第三镂空窗口，刻蚀形成贯穿所述第一叠层结构和所述第二叠层结构并延伸至所述衬底的所述虚拟沟道孔。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以图案化的所述刻蚀掩膜层为掩蔽，刻蚀形成所述栅极间隙包括：

在图案化的所述刻蚀掩膜层上形成第四光刻胶层；

去除所述第四光刻胶层的、与图案化的所述刻蚀掩膜层中所述栅极间隙的图案对应的部分以在所述第四光刻胶层中形成第四镂空窗口；以及

经由所述第四镂空窗口，刻蚀形成贯穿所述第一叠层结构和所述第二叠层结构并延伸至所述衬底的所述栅极间隙。