[发明专利]铜互连结构的形成方法有效
| 申请号： | 202111226412.3 | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN114032592B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;H01L21/768;C25D5/02;C25D5/10;C25D5/18 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种铜互连结构的形成方法，包括：在介质层中形成沟槽，介质层形成于衬底上方，衬底表面形成有半导体器件；在介质层和沟槽表面形成阻挡层；在阻挡层表面形成种籽层；通过电镀工艺在种籽层表面依次形成第一铜层和掺杂层；在掺杂层上形成第二铜层；进行平坦化处理，去除沟槽外的阻挡层、种籽层、第一铜层、掺杂层和第二铜层，使沟槽外的介质层暴露。本申请通过在铜层之间形成包含杂质元素的掺杂层，且该掺杂层形成的区域靠近沟槽表面，从而能够优化掺杂元素在铜层中的分布，在降低EM效应的同时不会明显增加器件的电阻，进而提高了器件的可靠性与良率。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
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