[发明专利]铜互连结构的形成方法有效
| 申请号： | 202111226412.3 | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN114032592B | 公开（公告）日： | 2023-06-13 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;H01L21/768;C25D5/02;C25D5/10;C25D5/18 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 形成 方法 | ||
1.一种铜互连结构的形成方法，其特征在于，包括：
在介质层中形成沟槽，所述介质层形成于衬底上方，所述衬底表面形成有半导体器件；
在所述介质层和所述沟槽表面形成阻挡层；
在所述阻挡层表面形成种籽层；
通过第一电镀工艺在所述种籽层上沉积铜形成第一铜层，所述第一铜层在所述沟槽中的高度为所述沟槽高度的1/3至1/2；
通过第二电镀工艺在所述第一铜层上沉积铜和杂质元素形成掺杂层，所述第二电镀工艺的电流大于所述第一电镀工艺的电流，所述第二电镀工艺中使用脉冲直流电流，所述第一电镀工艺的标准电极电位与所述第二电镀工艺的标准电极电位的差值大于0.2伏特，所述第二电镀工艺的标准电极电位为负；
在所述掺杂层上形成第二铜层；
进行平坦化处理，去除所述沟槽外的阻挡层、种籽层、第一铜层、掺杂层和第二铜层，使所述沟槽外的介质层暴露。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述杂质元素包括锰。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二电镀工艺中的电流的值大于30安培。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一电镀工艺中的电流的取值范围为1安培至5安培。
5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述在所述掺杂层上形成第二铜层，包括：
通过第三电镀工艺在所述掺杂层上沉积铜形成所述第二铜层，所述第三电镀工艺的电流小于所述第一电镀工艺的电流。
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