[发明专利]接触孔的制作方法在审
| 申请号： | 202111226189.2 | 申请日： | 2021-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN114038794A | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;曾招钦 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C23C14/18;C23C16/06;C23C28/00;C23C14/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种接触孔的制作方法，包括：在介质层中形成沟槽，介质层形成于衬底上方，衬底表面形成有半导体器件；在介质层和沟槽表面形成扩散阻挡层；通过CVD工艺在扩散阻挡层表面形成线性衬垫层；通过PVD工艺在线性衬垫层表面沉积形成衬垫层；在衬垫层表面形成铜种籽层；在铜种籽层上形成铜层，铜层填充沟槽；进行平坦化处理，去除沟槽外的扩散阻挡层、线性衬垫层、衬垫层、铜种籽层和铜层，使沟槽外的介质层暴露。本申请通过在接触孔的制作过程中，通过CVD工艺形成线性衬垫层后，通过PVD工艺在线性衬垫层表面生成衬垫层从而改善线性衬垫层的成膜质量，降低其电阻，从而提高了器件的电学性能，进而提高其可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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