[发明专利]半导体存储器装置

摘要

本公开提供了一种能够改善可靠性和性能的半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：衬底，其包括单元区域和单元区域周围的外围区域；单元区域隔离膜，其限定单元区域；位线结构，其位于单元区域中；第一外围栅极结构，其位于衬底的外围区域上，第一外围栅极结构包括第一外围栅极导电膜和第一外围栅极导电膜上的第一外围封盖膜；外围层间绝缘膜，其位于第一外围栅极结构周围；以及插入层间绝缘膜，其位于外围层间绝缘膜和第一外围栅极结构上，并且包括与外围层间绝缘膜的材料不同的材料。外围层间绝缘膜的上表面低于第一外围封盖膜的上表面。