[发明专利]半导体存储器装置

说明书

本公开提供了一种能够改善可靠性和性能的半导体存储器装置。半导体存储器装置包括：衬底，其包括单元区域和单元区域周围的外围区域；单元区域隔离膜，其限定单元区域；位线结构，其位于单元区域中；第一外围栅极结构，其位于衬底的外围区域上，第一外围栅极结构包括第一外围栅极导电膜和第一外围栅极导电膜上的第一外围封盖膜；外围层间绝缘膜，其位于第一外围栅极结构周围；以及插入层间绝缘膜，其位于外围层间绝缘膜和第一外围栅极结构上，并且包括与外围层间绝缘膜的材料不同的材料。外围层间绝缘膜的上表面低于第一外围封盖膜的上表面。

技术领域

本公开涉及一种半导体存储器装置和用于制造其的方法。

背景技术

随着半导体元件被越来越高度集成，单个电路图案变得更精细以便于在同一区域中实施更多的半导体元件。即，随着半导体元件的集成度提高，半导体元件的部件的设计规则的维度可能会降低。

在高度规模化的半导体元件中，形成多条布线和插设在布线之间的多个埋置接触件(BC)的工艺可以逐渐变得更加复杂并且难以实施。

发明内容

本公开的各方面提供了一种具有改善的可靠性和性能的半导体存储器装置。

本公开的各方面还提供了一种用于制造具有改善的可靠性和性能的半导体存储器装置的方法。

然而，本公开的各方面不限于本文中所阐述的那些。通过参考以下给出的本公开的详细描述，本公开的这些和其它方面对于本公开所属领域的普通技术人员而言将变得更加显而易见。

根据本公开的各方面，提供了一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括单元区域和位于单元区域周围的外围区域；单元区域隔离膜，其位于衬底中，单元区域隔离膜限定单元区域；位线结构，其位于单元区域上；第一外围栅极结构，其位于衬底的外围区域上，第一外围栅极结构包括第一外围栅极导电膜和第一外围栅极导电膜上的第一外围封盖膜；外围层间绝缘膜，其位于第一外围栅极结构周围和衬底上；以及插入层间绝缘膜，其位于外围层间绝缘膜和第一外围栅极结构上，插入层间绝缘膜包括与外围层间绝缘膜的材料不同的材料，其中，外围层间绝缘膜的上表面比第一外围封盖膜的上表面更靠近衬底。

根据本公开的另一方面，提供了一种半导体存储器装置，包括：衬底，其包括单元区域和位于单元区域周围的外围区域；位线结构，其位于单元区域上；位于衬底的外围区域上并且彼此间隔开的第一外围栅极结构、第二外围栅极结构和第三外围栅极结构；以及外围层间绝缘膜，其放置在衬底上的第一外围栅极结构至第三外围栅极结构周围，其中，第一外围栅极结构至第三外围栅极结构中的每一个包括外围栅极导电膜、外围栅极导电膜上的外围封盖膜以及外围栅极导电膜的侧壁和外围封盖膜的侧壁上的外围间隔件，其中，第一外围栅极结构位于第二外围栅极结构与第三外围栅极结构之间，其中，外围层间绝缘膜的上表面比第一外围栅极结构至第三外围栅极结构中的每一个的外围封盖膜的上表面更靠近衬底，其中，第一外围栅极结构的外围栅极导电膜和第二外围栅极结构的外围栅极导电膜之间的第一距离与第一外围栅极结构的外围栅极导电膜和第三外围栅极结构的外围栅极导电膜之间的第二距离不同，并且其中，第一外围栅极结构和第二外围栅极结构之间的外围层间绝缘膜的上表面相对于衬底的上表面的高度与第一外围栅极结构和第三外围栅极结构之间的外围层间绝缘膜的上表面相对于衬底的上表面的高度不同。