[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，包括：

衬底，其包括单元区域和位于所述单元区域周围的外围区域；

单元区域隔离膜，其位于所述衬底中，所述单元区域隔离膜限定所述单元区域；

位线结构，其位于所述单元区域上；

第一外围栅极结构，其位于所述衬底的所述外围区域上，所述第一外围栅极结构包括第一外围栅极导电膜和所述第一外围栅极导电膜上的第一外围封盖膜；

外围层间绝缘膜，其位于所述第一外围栅极结构周围和所述衬底上；以及

插入层间绝缘膜，其位于所述外围层间绝缘膜和所述第一外围栅极结构上，所述插入层间绝缘膜包括与所述外围层间绝缘膜的材料不同的材料，

其中，所述外围层间绝缘膜的上表面比所述第一外围封盖膜的上表面更靠近所述衬底。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述位线结构包括单元导电线和单元线封盖膜，所述单元导电线位于所述衬底上并且在第一方向上延伸，所述单元线封盖膜位于所述单元导电线上，并且

其中，所述第一外围栅极导电膜的厚度等于所述单元导电线的厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述单元线封盖膜的厚度大于所述第一外围封盖膜的厚度。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，还包括：

阻挡导电结构，其包括在所述第一方向上与所述单元导电线间隔开的阻挡导电线和所述阻挡导电线上的阻挡封盖膜；以及

单元层间绝缘膜，其在所述阻挡导电线与所述单元导电线之间位于所述单元区域隔离膜上，所述单元层间绝缘膜包括与所述外围层间绝缘膜的材料相同的材料，

其中，所述单元层间绝缘膜的上表面比所述阻挡封盖膜的上表面更靠近所述衬底。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述外围层间绝缘膜的上表面相对于所述衬底的上表面的高度大于所述单元层间绝缘膜的上表面相对于所述衬底的上表面的高度。

6.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第一外围栅极结构包括所述第一外围栅极导电膜的侧壁和所述第一外围封盖膜的侧壁上的外围间隔件，并且

其中，所述外围层间绝缘膜的上表面相对于所述衬底的上表面的高度小于所述外围间隔件的最上部相对于所述衬底的上表面的高度。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，还包括：

第二外围栅极结构，其位于所述衬底的所述外围区域上，所述第二外围栅极结构包括第二外围栅极导电膜和所述第二外围栅极导电膜上的第二外围封盖膜；以及

第三外围栅极结构，其位于所述衬底的所述外围区域上，所述第三外围栅极结构包括第三外围栅极导电膜和所述第三外围栅极导电膜上的第三外围封盖膜，

其中，所述第一外围栅极结构位于所述第二外围栅极结构与所述第三外围栅极结构之间，并且

其中，所述外围层间绝缘膜的上表面比所述第二外围封盖膜的上表面和所述第三外围封盖膜的上表面更靠近所述衬底。

8.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述第一外围栅极导电膜与所述第二外围栅极导电膜之间的距离大于所述第一外围栅极导电膜与所述第三外围栅极导电膜之间的距离，并且

其中，所述第一外围栅极导电膜与所述第二外围栅极导电膜之间的所述外围层间绝缘膜的上表面相对于所述衬底的上表面的高度等于所述第一外围栅极导电膜与所述第三外围栅极导电膜之间的所述外围层间绝缘膜的上表面相对于所述衬底的上表面的高度。

9.根据权利要求7所述的半导体存储器装置，其中，所述第一外围栅极导电膜与所述第二外围栅极导电膜之间的距离大于所述第一外围栅极导电膜与所述第三外围栅极导电膜之间的距离，并且

其中，所述第一外围栅极导电膜与所述第二外围栅极导电膜之间的所述外围层间绝缘膜的上表面相对于所述衬底的上表面的高度小于所述第一外围栅极导电膜与所述第三外围栅极导电膜之间的所述外围层间绝缘膜的上表面相对于所述衬底的上表面的高度。