[发明专利]非易失存储器及其制备方法在审
| 申请号： | 202111215552.0 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN113948580A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 周鹏;张卫;朱宝;尹睿;奚晶晶 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路制造创新中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L29/49;H01L29/51;H01L21/34 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种非易失存储器，包括顺次设置的控制栅层、控制栅介电层、浮栅层、隧穿层、沟道层和源漏电极，所述浮栅层包括氮化硅层和石墨烯层，所述氮化硅层覆盖所述控制栅介电层背向所述控制栅层的一面的部分或全部，所述石墨烯层覆盖所述氮化硅层背向所述控制栅介电层的一面的部分或全部，所述隧穿层覆盖所述石墨烯层背向所述氮化硅层的一面的部分或全部，所述沟道层覆盖所述隧穿层背向所述石墨烯层的一面的部分或全部，其中，所述隧穿层的材料为氮化硼，所述沟道层的材料为硒化铟，降低了非易失存储器的功耗、提高了非易失存储器的电荷保持性和读写速度。本发明还提供了所述非易失存储器的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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