[发明专利]非易失存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种非易失存储器，其特征在于，包括顺次设置的控制栅层、控制栅介电层、浮栅层、隧穿层、沟道层和源漏电极，所述控制栅介电层覆盖所述控制栅层的一面的部分或全部，所述浮栅层覆盖所述控制栅介电层背向所述控制栅层的一面的部分或全部，所述浮栅层包括氮化硅层和石墨烯层，所述氮化硅层覆盖所述控制栅介电层背向所述控制栅层的一面的部分或全部，所述石墨烯层覆盖所述氮化硅层背向所述控制栅介电层的一面的部分或全部，所述隧穿层覆盖所述石墨烯层背向所述氮化硅层的一面的部分或全部，所述沟道层覆盖所述隧穿层背向所述石墨烯层的一面的部分或全部，其中，所述隧穿层的材料为氮化硼，所述沟道层的材料为硒化铟。

2.根据权利要求1所述的非易失存储器，其特征在于，所述控制栅层的材料为电阻率小于0.001Ω·cm的掺杂硅，所述控制栅介电层的材料为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的非易失存储器，其特征在于，所述源漏电极的材料为Ti/Au合金、Cr/Au合金、Ti/Pt合金中的任意一种。

4.根据权利要求1所述的非易失存储器，其特征在于，所述源漏电极的材料为二维导电材料。

5.根据权利要求1所述的非易失存储器，其特征在于，所述氮化硅层、所述石墨烯层、所述隧穿层和所述沟道层的厚度均为10-20nm。

6.根据权利要求2所述的非易失存储器，其特征在于，所述控制栅介电层的厚度为50-300nm。

7.一种如权利要求1-6任一项所述非易失存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1：提供控制栅层，在所述控制栅层的一面的部分或全部形成控制栅介电层；

S2：在所述控制栅介电层背向所述控制栅层的一面的部分或全部形成氮化硅层，然后在所述氮化硅层背向所述控制栅介电层的一面的部分或全部形成石墨烯层，其中，所述氮化硅层和所述石墨烯层共同构成浮栅层；

S3：在所述石墨烯层背向所述氮化硅层的一面的部分或全部形成隧穿层，所述隧穿层的材料为氮化硼；

S4：在所述隧穿层背向所述石墨烯层的一面的部分或全部形成沟道层，所述沟道层的材料为硒化铟；

S5：在所述沟道层背向所述隧穿层的一面的部分或全部形成源漏电极。

8.根据权利要求7所述的非易失存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤S1还包括：对所述控制栅层进行切割，以使所述控制栅层的一面为边长为0.9-1.1cm的正方形，然后通过丙酮、乙醇和去离子水对所述控制栅层进行清洁，最后对清洁后的所述控制栅层进行烘干。

9.根据权利要求7所述的非易失存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述控制栅层的一面的部分或全部形成控制栅介电层，包括：

通过热氧化法或原子层沉积法在所述控制栅层的一面的部分或全部形成厚度为50-300nm的控制栅介电层。

10.根据权利要求7所述的非易失存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述控制栅介电层背向所述控制栅层的一面的部分或全部形成氮化硅层，包括：

通过化学气相沉积法在所述控制栅介电层背向所述控制栅层的一面的部分或全部形成厚度为10-20nm的氮化硅层。

11.根据权利要求7所述的非易失存储器的制备方法，其特征在于，所述在所述氮化硅层背向所述控制栅介电层的一面的部分或全部形成石墨烯层，包括：

通过化学气相沉积法在所述氮化硅层背向所述控制栅介电层的一面的部分或全部形成厚度为10-20nm的石墨烯层。