[发明专利]半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202111215342.1 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN114627921A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 张贤禹;申树浩 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/15 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘美华;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和限定在单元区域周围的外围区域，单元区域包括由元件分离膜限定的有源区；存储垫，连接到单元区域的有源区；外围栅极结构，设置在外围区域的基底上；外围接触插塞，设置在外围栅极结构的两侧上并且连接到基底；第一层间绝缘膜，设置在存储垫和外围接触插塞上，并且包括基于氮化物的绝缘材料；以及信息存储单元，连接到存储垫，其中，位于存储垫的上表面上的第一层间绝缘膜的厚度小于位于外围接触插塞的上表面上的第一层间绝缘膜的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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