[发明专利]半导体存储器装置

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

基底，包括单元区域和在单元区域周围的外围区域，单元区域包括由元件分离膜限定的有源区；

存储垫，连接到单元区域的有源区；

外围栅极结构，位于外围区域的基底上；

外围接触插塞，位于外围栅极结构的两侧上并且连接到基底；

第一层间绝缘膜，位于存储垫上以及位于外围接触插塞上，并且包括基于氮化物的绝缘材料；以及

信息存储电路，连接到存储垫，

其中，位于存储垫的上表面上的第一层间绝缘膜的厚度小于位于外围接触插塞的上表面上的第一层间绝缘膜的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，第一层间绝缘膜包括下层间绝缘膜和位于下层间绝缘膜上的上层间绝缘膜，并且

下层间绝缘膜位于外围接触插塞的上表面上，并且不位于存储垫的上表面上。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，第一层间绝缘膜还包括嵌入层间绝缘膜，

下层间绝缘膜位于嵌入层间绝缘膜上，并且

嵌入层间绝缘膜不位于存储垫的上表面上。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，上层间绝缘膜位于存储垫的上表面和外围接触插塞的上表面上。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，信息存储电路包括连接到存储垫的下电极、位于下电极上的电容器介电膜以及位于电容器介电膜上的板上电极。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

第二层间绝缘膜，设置在第一层间绝缘膜上并且覆盖板上电极的侧壁，

其中，第二层间绝缘膜直接接触第一层间绝缘膜。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括：

第二层间绝缘膜，位于第一层间绝缘膜上并且覆盖板上电极的侧壁，

其中，电容器介电膜沿着第一层间绝缘膜与第二层间绝缘膜之间的边界延伸。

8.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，第一层间绝缘膜包括下层间绝缘膜和位于下层间绝缘膜上的上层间绝缘膜，

下层间绝缘膜位于外围接触插塞的上表面上，并且不位于存储垫的上表面上，并且

下层间绝缘膜包括与板上电极竖直叠置的第一部分和不与板上电极竖直叠置的第二部分。

9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，其中，下层间绝缘膜的第一部分的厚度大于下层间绝缘膜的第二部分的厚度。

10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，外围接触插塞的上表面与存储垫的上表面位于同一平面上。

11.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：

基底，包括单元区域和在单元区域周围的外围区域，单元区域包括由元件分离膜限定的有源区；

单元分离膜，限定基底中的单元区域；

存储垫，连接到单元区域的有源区；

外围栅极结构，位于外围区域的基底上；

外围接触插塞，位于外围栅极结构的两侧上并且连接到基底，外围接触插塞的上表面与存储垫的上表面位于同一平面上；

第一层间绝缘膜，位于存储垫上以及位于外围接触插塞上，并且包括基于氮化物的绝缘材料；以及

电容器，包括连接到存储垫的下电极、位于下电极上的电容器介电膜以及位于电容器介电膜上的板上电极，

其中，第一层间绝缘膜的上表面包括位于单元分离膜上的台阶结构。

12.根据权利要求11所述的半导体存储器装置，其中，位于外围接触插塞的上表面上的第一层间绝缘膜的厚度大于位于存储垫的上表面上的第一层间绝缘膜的厚度。