[发明专利]半导体存储器装置

说明书

公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括单元区域和限定在单元区域周围的外围区域，单元区域包括由元件分离膜限定的有源区；存储垫，连接到单元区域的有源区；外围栅极结构，设置在外围区域的基底上；外围接触插塞，设置在外围栅极结构的两侧上并且连接到基底；第一层间绝缘膜，设置在存储垫和外围接触插塞上，并且包括基于氮化物的绝缘材料；以及信息存储单元，连接到存储垫，其中，位于存储垫的上表面上的第一层间绝缘膜的厚度小于位于外围接触插塞的上表面上的第一层间绝缘膜的厚度。

技术领域

一些示例实施例涉及一种半导体存储器装置以及/或者一种用于制造半导体存储器装置的方法，更具体地，涉及设置有彼此交叉的多条布线和掩埋接触件的半导体存储器装置以及/或者用于制造该半导体存储器装置的方法。

背景技术

随着半导体元件越来越高度集成，各个电路图案变得更精细，以在相同区域中实现更多的半导体元件。例如，随着半导体元件的集成度增大，半导体元件的组件的设计规则减少并且/或者变得更加复杂。

在高度缩放的半导体元件中，形成多条布线以及置于多条布线之间的多个掩埋接触件(BC)的工艺变得越来越复杂并且/或者困难。

发明内容

一些示例实施例提供了能够改善可靠性和性能的半导体存储器装置。

可选地或另外地，一些示例实施例也提供了一种用于制造能够改善可靠性和性能的半导体存储器装置的方法。

然而，一些示例实施例的方面不限于在此阐述的方面。通过参照下面给出的示例实施例的详细描述，一些示例实施例的方面和其他方面将对于示例实施例所属领域的普通技术人员而言将变得更加明显。

根据一些示例实施例，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括单元区域和在单元区域周围的外围区域，单元区域包括由元件分离膜限定的有源区；存储垫，连接到单元区域的有源区；外围栅极结构，位于外围区域的基底上；外围接触插塞，位于外围栅极结构的两侧上并且连接到基底；第一层间绝缘膜，位于存储垫上以及位于外围接触插塞上，并且包括基于氮化物的绝缘材料；以及信息存储电路，连接到存储垫。位于存储垫的上表面上的第一层间绝缘膜的厚度小于位于外围接触插塞的上表面上的第一层间绝缘膜的厚度。

根据一些示例实施例，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括单元区域和在单元区域周围的外围区域，单元区域包括由元件分离膜限定的有源区；单元分离膜，限定基底中的单元区域；存储垫，连接到单元区域的有源区；外围栅极结构，位于外围区域的基底上；外围接触插塞，位于外围栅极结构的两侧上并且连接到基底，外围接触插塞的上表面与存储垫的上表面位于同一平面上；第一层间绝缘膜，位于存储垫上以及位于外围接触插塞上，并且包括基于氮化物的绝缘材料；以及电容器，包括连接到存储垫的下电极、位于下电极上的电容器介电膜以及位于电容器介电膜上的板上电极。第一层间绝缘膜的上表面包括在单元分离膜上的台阶结构。

根据一些示例实施例，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括单元区域和在单元区域周围的外围区域，单元区域包括由元件分离膜限定的有源区；单元分离膜，限定基底的单元区域；位线结构，包括单元导线和位于单元导线上的单元线盖膜，位线结构位于单元区域的基底上；单元栅电极，设置在单元区域的基底内部并且与单元导线交叉；存储垫，位于位线结构的侧表面上并且连接到单元区域的有源区；外围栅极结构，位于外围区域的基底上；外围接触插塞，位于外围栅极结构的两侧上并且连接到基底；电容器，包括连接到存储垫的下电极、位于下电极上的电容器介电膜以及位于电容器介电膜上的板上电极；下层间绝缘膜，位于外围接触插塞上并且包括基于氮化物的绝缘材料，下层间绝缘膜的末端被板上电极覆盖；以及上层间绝缘膜，位于下层间绝缘膜上并且覆盖板上电极的侧壁。下层间绝缘膜不位于存储垫的上表面上。