[发明专利]一种基于忆阻交叉阵列的长短时记忆自主转换电路在审
| 申请号： | 202111213175.7 | 申请日： | 2021-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN113988278A | 公开（公告）日： | 2022-01-28 |
| 发明（设计）人： | 王小平;潘朝勋 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G06N3/063 | 分类号： | G06N3/063;G11C13/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 祝丹晴 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于忆阻交叉阵列的长短时记忆自主转换电路，属于电路设计领域。包括短时记忆网络、长时记忆网络、长期刺激判定电路和记忆转换电路；所述短时记忆网络包括第一忆阻交叉阵列，所述长时记忆网络包括第二忆阻交叉阵列。利用忆阻交叉阵列的并行处理能力极大地提高了网络的计算速度，而具有记忆功能的忆阻则为长短时记忆转换提供了良好的实现方案；忆阻交叉阵列阻值可编程的特点丰富了网络的应用场景，使得长短时记忆转换成为可能的同时，还可以利用其扩展成不同的神经网络结构，从而打破传统网络功能的单一性；同时依靠长期刺激判定电路实现对外界刺激是否属于长期刺激的判定，并通过记忆转换电路解决短时记忆向长时记忆的转换问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 交叉 阵列 短时记忆 自主 转换 电路 | ||
【主权项】：
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