[发明专利]一种自晶圆背面切割晶圆的方法及系统在审
| 申请号： | 202111211917.2 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN113948383A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 张中;潘明东;陈益新 | 申请（专利权）人： | 江苏芯德半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/67;B24B37/00 |
| 代理公司： | 无锡华越知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32571 | 代理人： | 苏霞 |
| 地址： | 210000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种自晶圆背面切割晶圆的方法及系统，该方法具体包括以下步骤：(1)将晶圆研磨减薄后，将晶圆正面朝上置于贴片平台的固定环中，在晶圆正面覆盖膜，以完成贴片；(2)取下所述步骤(1)中贴片后的晶圆，去除多余的膜后，将晶圆正面朝下置于切割平台上；(3)所述晶圆背面上方设有IR相机，所述IR相机连接控制器，所述IR相机对准晶圆背面拍摄图像，并将图像发送给控制器，所述控制器解析所述图像获得晶圆背面的图形，所述图形即对应晶圆正面的切割道；(4)根据步骤(3)所得晶圆背面的图形进行切割晶圆。本发明公开的自晶圆背面切割晶圆的方法提高了晶圆的产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 背面 切割 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
