[发明专利]一种自晶圆背面切割晶圆的方法及系统在审
| 申请号: | 202111211917.2 | 申请日: | 2021-10-18 | 
| 公开(公告)号: | CN113948383A | 公开(公告)日: | 2022-01-18 | 
| 发明(设计)人: | 张中;潘明东;陈益新 | 申请(专利权)人: | 江苏芯德半导体科技有限公司 | 
| 主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/67;B24B37/00 | 
| 代理公司: | 无锡华越知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32571 | 代理人: | 苏霞 | 
| 地址: | 210000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 背面 切割 方法 系统 | ||
1.一种自晶圆背面切割晶圆的方法,其特征在于,该方法具体包括以下步骤:
(1)将晶圆研磨减薄后,将晶圆正面朝上置于贴片平台的固定环中,在晶圆正面覆盖膜,以完成贴片;
(2)取下所述步骤(1)中贴片后的晶圆,去除多余的膜后,将晶圆正面朝下置于切割平台上;
(3)所述晶圆背面上方设有IR相机,所述IR相机连接控制器,所述IR相机对准晶圆背面拍摄图像,并将图像发送给控制器,所述控制器解析所述图像获得晶圆背面的图形,所述图形即对应晶圆正面的切割道;
(4)根据步骤(3)所得晶圆背面的图形进行切割晶圆。
2.根据权利要求1所述的一种自晶圆背面切割晶圆的方法,其特征在于,所述步骤(1)中对晶圆贴片后,用滚轮匀速滚过。
3.根据权利要求1所述的一种自晶圆背面切割晶圆的方法,其特征在于,所述膜根据晶圆厚度和晶圆正面金属线路厚度确定。
4.根据权利要求1至3任一项所述的一种自晶圆背面切割晶圆的方法,其特征在于,所述步骤(3)中IR相机成像前需调整灯光强度。
5.根据权利要求4所述的一种自晶圆背面切割晶圆的方法,其特征在于,所述步骤(4)中切割晶圆时根据切割道宽度确定合适的刀片。
6.根据权利要求1所述的一种自晶圆背面切割晶圆的方法,其特征在于,所述IR相机采用InGaAs红外相机。
7.一种实施权利要求1所述方法的系统,其特征在于,该系统包括:贴片平台、切割平台、IR相机以及控制器;
所述贴片平台用于承载晶圆,以完成晶圆的贴片;
所述切割平台用于承载贴片后的晶圆,所述晶圆正面朝下放置于切割平台上;
所述IR相机设于所述切割平台的上方,所述IR相机连接控制器,所述控制器连接切割平台;
所述IR相机对准晶圆背面拍摄图像,并将图像发送给控制器,所述控制器解析所述图像获得晶圆背面的图形,所述图形即对应晶圆正面的切割道;
所述控制器发送图像给切割平台,所述切割平台根据图像中的图形预设切割位置,并根据预设的切割位置切割晶圆。
8.根据权利要求7所述的系统,其特征在于,所述切割平台包括校验模块,所述校验模块调整晶圆位置使预设的切割位置与晶圆位置保持一致,所述校验模块校验之后,切割平台再根据预设的切割位置切割晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





