[发明专利]图形制造方法及图形基板在审
| 申请号： | 202111211801.9 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN113948372A | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭;赵宇航 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/033 | 分类号： | H01L21/033 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了图形制造方法包括：对所述光刻胶薄膜进行图形化处理，使所述金属薄膜的部分顶面暴露以得到金属暴露顶面，然后采用离子轰击工艺对所述金属暴露顶面进行处理，以在所述光刻胶薄膜内形成N个金属硬掩膜条，使去除所述光刻胶薄膜后，以所述N个金属硬掩膜条为掩膜，顺次刻蚀所述硬掩膜和所述目标薄膜，并以所述目标薄膜的顶面为停止位置去除每个所述初始目标图形的部分图形，从而得到设置于所述衬底顶面的若干目标图形，工艺简单易控制，解决了生产小尺寸图形成本高、生产效率低、制作工艺复杂的问题。本发明还提供了通过所述图形制造方法得到的图形基板。 | ||
| 搜索关键词： | 图形 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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