[发明专利]图形制造方法及图形基板在审

专利信息
申请号: 202111211801.9 申请日: 2021-10-18
公开(公告)号: CN113948372A 公开(公告)日: 2022-01-18
发明(设计)人: 康晓旭;赵宇航 申请(专利权)人: 上海集成电路研发中心有限公司
主分类号: H01L21/033 分类号: H01L21/033
代理公司: 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 代理人: 黄海霞
地址: 201210 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 图形 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种图形制造方法,其特征在于,包括步骤:

S1:在衬底上依次沉积目标薄膜、硬掩模、覆盖所述硬掩模顶面的金属薄膜,以及光刻胶薄膜,对所述光刻胶薄膜进行图形化处理,使所述金属薄膜的部分顶面暴露以得到金属暴露顶面;

S2:采用离子轰击工艺对所述金属暴露顶面进行处理,以在所述光刻胶薄膜内形成N个金属硬掩膜条,N为大于0的正整数;

S3:去除所述光刻胶薄膜后,以所述N个金属硬掩膜条为掩膜,顺次刻蚀所述硬掩膜和所述目标薄膜以得到若干初始目标图形;

S4:去除剩余所述金属硬掩模条和所述硬掩模,得到设置于所述衬底顶面的若干目标图形。

2.如权利要求1所述的图形制造方法,其特征在于,所述步骤S2中,采用离子轰击工艺对所述金属暴露顶面进行处理的步骤包括:

控制离子束以N个不同的预定入射角度分别作用于所述金属暴露顶面以形成N个所述金属硬掩模条,所述预定入射角度为所述离子束与所述金属暴露顶面之间所夹的锐角。

3.根据权利要求2所述的图形制造方法,其特征在于,控制离子束以N个不同的预定入射角度分别作用于所述金属暴露顶面以形成N个所述金属硬掩模条的步骤包括:

控制离子束以顺次增加的不同的预定入射角度完成不同次的离子轰击工艺以形成所述N个金属硬掩膜条。

4.根据权利要求2所述的图形制造方法,其特征在于,控制离子束以N个不同的预定入射角度分别作用于所述金属暴露顶面以形成N个所述金属硬掩模条的步骤包括:

控制离子束以不同的预定入射角度以及不同的强度完成不同次的离子轰击工艺以形成所述N个金属硬掩膜条。

5.根据权利要求2所述的图形制造方法,其特征在于,控制离子束以预定入射角度作用于所述金属暴露顶面所使用的离子束作用方向相互平行。

6.根据权利要求2所述的图形制造方法,其特征在于,所述步骤S1中,对所述光刻胶薄膜图形化处理,使所述金属薄膜的部分顶面暴露以得到金属暴露顶面的步骤包括:

自所述光刻胶薄膜一侧靠近边缘的顶面起对所述光刻胶薄膜进行所述图形化处理,使所述金属薄膜的靠近边缘的部分顶面暴露以得到近边缘金属暴露顶面。

7.根据权利要求2所述的图形制造方法,其特征在于,所述步骤S1中,对所述光刻胶薄膜图形化处理,使所述金属薄膜的部分顶面暴露以得到金属暴露顶面的步骤包括:

对所述光刻胶薄膜的中部进行所述图形化处理,使所述金属薄膜的中部顶面暴露以得到中部金属暴露顶面。

8.根据权利要求7所述的图形制造方法,其特征在于,所述光刻胶薄膜包括位于所述中部金属暴露顶面两侧的第一光刻胶薄膜和第二光刻胶薄膜,控制离子束以N个不同的预定入射角度分别作用于所述金属暴露顶面以形成N个所述金属硬掩膜条的步骤包括:

控制所述离子束以第一朝向范围作用于所述中部金属暴露顶面,并进行M次离子轰击工艺,以在所述第一光刻胶薄膜内顺次形成M个与所述金属暴露顶面的距离顺次减小的金属硬掩膜条,M为大于0且小于N的正整数;

然后控制所述离子束以第二朝向范围作用于所述中部金属暴露顶面,并进行N-M次所述离子轰击工艺,以在所述第二光刻胶薄膜内顺次形成N-M个与所述金属暴露顶面的距离顺次减小的金属硬掩膜条。

9.根据权利要求7所述的图形制造方法,其特征在于,控制离子束以N个不同的预定入射角度分别作用于所述金属暴露顶面以形成N个所述金属硬掩膜条的步骤包括:

控制所述离子束绕与所述衬底垂直的虚拟轴线分别以不同入射方向作用于所述中部金属暴露顶面并进行M次离子轰击工艺,以在所述光刻胶薄膜内顺次形成M个绕所述虚拟轴线分布的金属硬掩模条,M为大于0且小于等于N的正整数。

10.如权利要求1所述的图形制造方法,其特征在于,所述步骤S1中,所述硬掩模包括相互堆叠的若干硬掩模层。

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