[发明专利]图形制造方法及图形基板

说明书

本发明提供了图形制造方法包括：对所述光刻胶薄膜进行图形化处理，使所述金属薄膜的部分顶面暴露以得到金属暴露顶面，然后采用离子轰击工艺对所述金属暴露顶面进行处理，以在所述光刻胶薄膜内形成N个金属硬掩膜条，使去除所述光刻胶薄膜后，以所述N个金属硬掩膜条为掩膜，顺次刻蚀所述硬掩膜和所述目标薄膜，并以所述目标薄膜的顶面为停止位置去除每个所述初始目标图形的部分图形，从而得到设置于所述衬底顶面的若干目标图形，工艺简单易控制，解决了生产小尺寸图形成本高、生产效率低、制作工艺复杂的问题。本发明还提供了通过所述图形制造方法得到的图形基板。

技术领域

本发明涉及半导体图形制造领域，尤其涉及图形制造方法及图形基板。

背景技术

在传统先进CMOS工艺中，使用光刻刻蚀技术形成图形，并不断使用更短波长的先进光刻机来实现小线宽的尺寸图形，目前业界最先进光刻机已在使用13.5nm的光刻机(Extreme Ultraviolet，EUV)来实现小线宽尺寸的图形。然而，随着图形线宽尺寸的减小，其成本也会越来越高，包括高额的光刻机成本、光刻工艺成本、EUV巨大的耗电等成本。虽然相对低成本的光刻机可以通过多次图形化技术来实现小尺寸图形的制作，但该技术的一次光刻需要使用多张光刻板及对应的工艺步骤，其成本会大幅度增加，产能会受到极大地下降，也极大的降低了小尺寸图形的生产效率。

公开号为CN102915960A的发明专利申请公开了一种金属互连结构的制作方法，包括：在半导体衬底上从下至上形成介质层、第一缓冲层、第一硬掩膜层、第二缓冲层和第二硬掩膜层，第二硬掩膜层的线条状图形和第一硬掩膜层的线条状图形互相交叉，并共同限定第一、二接触孔的位置与尺寸；在第二硬掩膜层上形成暴露第一接触孔所在的位置的第一光刻胶图形，刻蚀至露出介质层，形成第一通孔；再形成暴露第二接触孔所在的位置的第二光刻胶图形，刻蚀形成第二通孔；以第一、二通孔的图形刻蚀介质层，形成第一接触孔与第二接触孔；而后形成连接第一、二接触孔的沟槽。该发明采用具有通孔掩模结构限定接触孔大小，多次光刻和刻蚀来分别打开距离较近的通孔，可突破现有光刻机技术节点的限制。但是该发明的第一硬掩膜和第二硬掩膜层均采用自对准式双重曝光工艺形成，制作工艺复杂，生产效率不高。

因此，有必要提供一种图形制造方法及图形基板以解决上述的现有技术中存在的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种图形制造方法及图形基板，以解决生产小尺寸图形成本高、生产效率低、制作工艺复杂的问题。

为实现上述目的，本发明的所述图形制造方法包括步骤：

S1：在衬底上依次沉积目标薄膜、硬掩膜、覆盖所述硬掩膜顶面的金属薄膜，以及光刻胶薄膜，对所述光刻胶薄膜进行图形化处理，使所述金属薄膜的部分顶面暴露以得到金属暴露顶面；

S2：采用离子轰击工艺对所述金属暴露顶面进行处理，以在所述光刻胶薄膜内形成N个金属硬掩膜条，N为大于0的正整数；

S3：去除所述光刻胶薄膜后，以所述N个金属硬掩膜条为掩膜，顺次刻蚀所述硬掩膜和所述目标薄膜以得到若干初始目标图形；

S4：去除剩余所述金属硬掩模条和所述硬掩膜，得到设置于所述衬底顶面的若干目标图形。

本发明的所述图形制造方法的有益效果在于：所述步骤S1中，对所述光刻胶薄膜进行图形化处理，使所述金属薄膜的部分顶面暴露以得到金属暴露顶面，并在所述步骤S2中采用离子轰击工艺对所述金属暴露顶面进行处理，以在所述光刻胶薄膜内形成N个金属硬掩膜条，使得通过所述步骤S3和所述步骤S4能够在去除所述光刻胶薄膜后，以所述N个金属硬掩膜条为掩膜，顺次刻蚀所述硬掩膜和所述目标薄膜，并以所述目标薄膜的顶面为停止位置去除剩余所述金属硬掩模条和所述硬掩膜，从而得到设置于所述衬底顶面的若干目标图形，工艺简单易控制，解决了生产小尺寸图形成本高、生产效率低、制作工艺复杂的问题。