[发明专利]形成图形化硬遮罩的方法及形成多个导电线的方法在审
| 申请号： | 202111208602.2 | 申请日： | 2021-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN114446873A | 公开（公告）日： | 2022-05-06 |
| 发明（设计）人： | 王建忠;丘世仰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;徐川 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造图形化硬遮罩的方法包括:在硬遮罩层上形成多个第一光阻特征；在硬遮罩层上及多个第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征；对多个第一光阻特征执行修整工艺，以形成多个第二光阻特征；以及使用至少一牺牲特征及多个第二光阻特征作为蚀刻遮罩，对硬遮罩层执行蚀刻工艺，其中多个开口形成于硬遮罩层中以获得图形化硬遮罩。借此，可以通过开口狭小的图形化硬遮罩，进而利用图形化硬遮罩形成精细的金属线(宽度小于或等于12.5纳米)，且仅使用一个图形化硬遮罩就可以形成相当细的金属线。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 图形 化硬遮罩 方法 导电 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
