[发明专利]形成图形化硬遮罩的方法及形成多个导电线的方法

说明书

一种制造图形化硬遮罩的方法包括:在硬遮罩层上形成多个第一光阻特征；在硬遮罩层上及多个第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征；对多个第一光阻特征执行修整工艺，以形成多个第二光阻特征；以及使用至少一牺牲特征及多个第二光阻特征作为蚀刻遮罩，对硬遮罩层执行蚀刻工艺，其中多个开口形成于硬遮罩层中以获得图形化硬遮罩。借此，可以通过开口狭小的图形化硬遮罩，进而利用图形化硬遮罩形成精细的金属线(宽度小于或等于12.5纳米)，且仅使用一个图形化硬遮罩就可以形成相当细的金属线。

技术领域

本发明涉及形成硬遮罩的方法及使用硬遮罩形成导电线的方法。

背景技术

目前半导体器件的导电线的尺寸被设计为亚微米范围，因此在制造工艺中使金属线(ML)缩小变得相当困难。此外，目前形成金属线的技术也达到了极限，因此需要开发一种减小金属线宽度的方法。

因此，本领域技术人员一直致力于开发一种解决上述问题的方法。

发明内容

有鉴于此，本发明之一目的在于提出一种可解决上述问题的制造图形化硬遮罩的方法，其包括：在硬遮罩层上形成多个第一光阻特征；在硬遮罩层上及多个第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征；对多个第一光阻特征执行修整工艺，以形成多个第二光阻特征；以及使用至少一牺牲特征及多个第二光阻特征作为蚀刻遮罩，对硬遮罩层执行蚀刻工艺，其中多个开口形成于硬遮罩层中以获得图形化硬遮罩。

在本发明的一个或多个实施方式中，至少一牺牲特征与多个第二光阻特征中的两紧邻者以同样的间距间隔分离。

在本发明的一个或多个实施方式中，在硬遮罩层上及多个第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征，还包括：在多个第一光阻特征上形成牺牲层；以及选择性地移除牺牲层并形成牺牲特征，其中牺牲特征接触多个第一光阻特征的两紧邻者之一。

在本发明的一个或多个实施方式中，选择性地移除牺牲层包括：搭配终点侦测对牺牲层执行选择性蚀刻工艺，以暴露出每一多个第一光阻特征的上表面；以及对牺牲层执行蚀刻光刻工艺，以形成牺牲特征。

在本发明的一个或多个实施方式中，在多个第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征包括：形成两个牺牲特征于多个第一光阻特征的两紧邻者之间。

在本发明的一个或多个实施方式中，两个牺牲特征及多个第二光阻特征的两紧邻者以同样的间距间隔分离，其中间距小于或等于12.5纳米。

在本发明的一个或多个实施方式中，多个导电线的两紧邻者以相同的间距间隔分离，其中每一导电线具有小于或等于12.5纳米的宽度。

在本发明的一个或多个实施方式中，多个第一光阻特征包括碳氢化合物，而修整工艺包括氧等离子体工艺。

本发明的另一面相在于提供一种形成多个导电线的方法，其包括：在硬遮罩层上形成多个第一光阻特征；在硬遮罩层上及多个第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征；对多个第一光阻特征执行修整工艺，以形成多个第二光阻特征，借此牺牲特征位于多个第二光阻特征的两紧邻者之间；使用至少一牺牲特征及多个第二光阻特征作为蚀刻遮罩，对硬遮罩层执行第一蚀刻工艺，其中多个开口形成于硬遮罩层中；对硬遮罩层下方的介电层执行第二蚀刻工艺，借此对应于多个开口的多个凹槽形成于介电层中；以及在多个凹槽中形成多个导电线。

在本发明的一个或多个实施方式中，至少一牺牲特征及多个第一光阻特征的两紧邻者以同样的间距交替地间隔分离。

在本发明的一个或多个实施方式中，在多个第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征包括：在多个第一光阻特征上形成牺牲层；以及选择性地移除牺牲层并形成牺牲特征，其中牺牲特征接触多个第一光阻特征的紧邻一者。