[发明专利]形成图形化硬遮罩的方法及形成多个导电线的方法

权利要求书

1.一种制造图形化硬遮罩的方法，其特征在于，包括：

在硬遮罩层上形成多个第一光阻特征；

在该硬遮罩层上及该些第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征；

对该些第一光阻特征执行修整工艺，以形成多个第二光阻特征；以及

使用该至少一牺牲特征及该些第二光阻特征作为蚀刻遮罩，对该硬遮罩层执行蚀刻工艺，其中多个开口形成于该硬遮罩层中以获得该图形化硬遮罩。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该至少一牺牲特征与该些第二光阻特征中的两紧邻者以同样的间距间隔分离。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在该硬遮罩层上及该些第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征，还包括：

在该些第一光阻特征上形成牺牲层；以及

选择性地移除该牺牲层并形成该牺牲特征，其中该牺牲特征接触该些第一光阻特征的该两紧邻者之一。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选择性地移除该牺牲层包括：

搭配终点侦测对该牺牲层执行选择性蚀刻工艺，以暴露出每一该些第一光阻特征的上表面；以及

对该牺牲层执行蚀刻光刻工艺，以形成该牺牲特征。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在该些第一光阻特征的该两紧邻者之间形成该至少一牺牲特征包括：

形成两个该牺牲特征于该些第一光阻特征的该两紧邻者之间。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，该两个牺牲特征及该些第二光阻特征的两紧邻者以同样的间距间隔分离。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，该间距小于或等于12.5纳米。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些开口以相同的间距重复设置。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，该些开口具有小于或等于12.5纳米的宽度。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该些第一光阻特征包括碳氢化合物，而该修整工艺包括氧等离子体工艺。

11.一种形成多个导电线的方法，其特征在于，包括：

在硬遮罩层上形成多个第一光阻特征；

在该硬遮罩层上及该些第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征；

对该些第一光阻特征执行修整工艺，以形成多个第二光阻特征，借此该牺牲特征位于该些第二光阻特征的两紧邻者之间；

使用该至少一牺牲特征及该些第二光阻特征作为蚀刻遮罩，对该硬遮罩层执行第一蚀刻工艺，其中多个开口形成于该硬遮罩层中；

对该硬遮罩层下方的介电层执行第二蚀刻工艺，借此对应于该些开口的多个凹槽形成于该介电层中；以及

在该些凹槽中形成该些导电线。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，该至少一牺牲特征及该些第一光阻特征的该两紧邻者以同样的间距交替地间隔分离。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在该些第一光阻特征的两紧邻者之间形成至少一牺牲特征包括：

在该些第一光阻特征上形成牺牲层；以及

选择性地移除该牺牲层并形成该牺牲特征，其中该牺牲特征接触该些第一光阻特征的紧邻一者。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，选择性地移除该牺牲层包括：

搭配终点侦测对该牺牲层执行选择性蚀刻工艺，以暴露出每一该些第一光阻特征的上表面；以及

对该牺牲层执行蚀刻光刻工艺，以形成该牺牲特征。