[发明专利]一种具有非接触式SiC舟改善体高效能的退火炉系统在审
| 申请号: | 202111174466.X | 申请日: | 2021-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN113921427A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
| 发明(设计)人: | 叶绍凤 | 申请(专利权)人: | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人: | 沈相权 |
| 地址: | 311201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种具有非接触式SiC舟改善体高效能的退火炉系统,属于退火炉技术领域,包括数据采集模块、数据处理模块、调控模块和监控平台;数据采集模块用于采集退火炉工作时的输送信息、运行信息和预热信息;输送信息包含输送冷风的流量数据和流速数据;运行信息包含监测区域的温度数据和气流数据;预热信息包含预热器的预热数据;数据处理模块用于对采集的输送信息、运行信息和预热信息分别进行预处理和计算,得到输送处理集、运行处理集和预热处理集;对输送处理集、运行处理集和预热处理集进行综合分析,得到运行匹配集;本发明用于解决现有方案中退火炉的运行效果不佳的技术问题。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 具有 接触 sic 改善 高效能 退火炉 系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





