[发明专利]一种具有非接触式SiC舟改善体高效能的退火炉系统在审
| 申请号: | 202111174466.X | 申请日: | 2021-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN113921427A | 公开(公告)日: | 2022-01-11 |
| 发明(设计)人: | 叶绍凤 | 申请(专利权)人: | 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人: | 沈相权 |
| 地址: | 311201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 具有 接触 sic 改善 高效能 退火炉 系统 | ||
本发明公开了一种具有非接触式SiC舟改善体高效能的退火炉系统,属于退火炉技术领域,包括数据采集模块、数据处理模块、调控模块和监控平台;数据采集模块用于采集退火炉工作时的输送信息、运行信息和预热信息;输送信息包含输送冷风的流量数据和流速数据;运行信息包含监测区域的温度数据和气流数据;预热信息包含预热器的预热数据;数据处理模块用于对采集的输送信息、运行信息和预热信息分别进行预处理和计算,得到输送处理集、运行处理集和预热处理集;对输送处理集、运行处理集和预热处理集进行综合分析,得到运行匹配集;本发明用于解决现有方案中退火炉的运行效果不佳的技术问题。
技术领域
本发明涉及退火炉技术领域,具体涉及一种具有非接触式SiC舟改善体高效能的退火炉系统。
背景技术
退火炉是在半导体器件制造中使用的一种专门为加热半导体晶片而设计的设备,其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能;热处理是针对不同的效果而设计的;退火炉可以集成到其它炉子处理步骤中。
现有的具有非接触式SiC舟改善体的退火炉系统在使用时,没有从输送冷气方面、炉腔运行方面及预热方面进行监测和分析,并动态调整冷气的输送以及气流的强度,使得炉腔内的运行保持最佳的状态,导致退火炉的运行效果不佳。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有非接触式SiC舟改善体高效能的退火炉系统,解决以下技术问题:如何解决现有方案中不能对退火炉的运行自动进行动态调控,导致退火炉的运行效果不佳的技术问题。
本发明的目的可以通过以下技术方案实现:
一种具有非接触式SiC舟改善体高效能的退火炉系统,包括数据采集模块、数据处理模块、调控模块和监控平台;
数据采集模块用于采集退火炉工作时的输送信息、运行信息和预热信息;输送信息包含输送冷风的流量数据和流速数据;运行信息包含监测区域的温度数据和气流数据;预热信息包含预热器的预热数据;
数据处理模块用于对采集的输送信息、运行信息和预热信息分别进行预处理和计算,得到输送处理集、运行处理集和预热处理集;对输送处理集、运行处理集和预热处理集进行综合分析,得到运行匹配集;
调控模块用于根据运行匹配集对退火炉的运行进行调控。
进一步地,监测区域根据退火炉的炉腔进行划分,包括:获取炉腔的若干个内表面并进行编号,依次将编号的内表面的中点设为监测点,若干个监测点均包含温度传感器和气流传感器,通过温度传感器获取监测点的实时温度,通过气流传感器获取监测点的实时气流。
进一步地,对输送信息进行预处理和计算的具体步骤包括:
获取输送信息中输送冷风的流量数据和流速数据,在预设的监测时间内,对流量数据中的实时流量进行取值并标记为SLi,i=1,2,3,...,n;对流速数据中的实时流速进行取值并标记为SSi;将标记的实时流量和实时流速按时间进行排列组合,得到输送标记信息;
对输送标记信息中标记的各项数据进行归一化处理并取值,通过输送公式计算获取输送系数;其中,a1和a2表示为不同的比例系数且均大于零,表示为输送调整因子,取值范围可以为(0,1);输送标记信息和输送系数构成输送处理集。
进一步地,对运行信息进行预处理和计算的具体步骤包括:
获取运行信息中监测区域的温度数据和气流数据,在预设的监测时间内,对温度数据中的实时温度进行取值并标记为SWi;对气流数据中的实时气压和实时气流量分别进行取值和标记,将实时气压标记为SQi;将实时气流量标记为QLi;将标记的实时温度、实时气压和实时气流量按时间进行排列组合,得到运行标记信息;
对运行标记信息中标记的各项数据进行归一化处理并取值,通过运行公式计算获取运行系数;其中,b1、b2和b3表示为不同的比例系数且均大于零;运行标记信息和运行系数构成运行处理集。
进一步地,对预热信息进行预处理和计算的具体步骤包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





