[发明专利]一种端基官能化的聚二甲基硅氧烷的制备方法有效
| 申请号: | 202111172465.1 | 申请日: | 2021-10-06 |
| 公开(公告)号: | CN114044905B | 公开(公告)日: | 2023-01-06 |
| 发明(设计)人: | 何军坡;奥斯曼·沙迪;何立挺 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
| 主分类号: | C08G77/14 | 分类号: | C08G77/14;C08G77/26;C08G77/28;C08G77/38;C08G77/388;C08G77/392 |
| 代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 陆飞;陆尤 |
| 地址: | 200433 *** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明属于聚二甲基硅氧烷制备技术领域,具体为一种端基官能化的聚二甲基硅氧烷的制备方法。本发明通过引发剂结构设计进一步引发六甲基环三硅氧烷单体的阴离子聚合制备端基官能化聚二甲基硅氧烷,具体包括:功能性引发剂的设计和制备;溶剂的选择;产物沉淀分离等后处理。本发明为制备多种端基官能化聚二甲基硅氧烷提供了新的高效和便捷的合成途径。引发剂结构可以灵活设计,可实现多种端机功能化聚合物合成,室温下合成聚合物,大大降低了能耗,并且脱保护是在常压室温下进行,避免了过去通过高温和压力的方式,在工业化生产中降低能耗的同时提高了生产的安全性。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 官能 聚二甲基硅氧烷 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学,未经复旦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202111172465.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种可状态转换的支架、屋面板组件及屋面系统
- 下一篇:一种高效高精度的切片机





