[发明专利]一种高击穿、低介损的KTN/PI复合薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 202111170486.X | 申请日： | 2021-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN113773541A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 林家齐;延妮;刘欣美 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L79/08;C08K9/06;C08K3/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150080 黑龙江省哈尔*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高击穿、低介损的KTN/PI复合薄膜的制备方法，首先，使用3‑(2‑氨基乙基氨基)丙基甲基二甲氧基硅烷偶联剂对钽铌酸钾(KTN)表面进行改性。之后通过原位聚合法制备PI基复合薄膜前驱体，并在80‑330摄氏度温度下加热，进行热亚胺化，制备出具有质量分数为百分之3‑11的KTN‑NH |
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| 搜索关键词： | 一种 击穿 低介损 ktn pi 复合 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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