[发明专利]一种高击穿、低介损的KTN/PI复合薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种高击穿、低介损的KTN/PI复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

1)水热法合成纳米结构的钽铌酸钾(KTN)，得到KTN粉末；

2)基于简单溶液法对KTN进行改性处理，选择N,N’-二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂，取适量的KTN粉末溶解在DMF溶液中得到混合物1；

3)常温下进行搅拌，向混合物1缓慢滴入一定量的3-(2-氨基乙基氨基)丙基甲基二甲氧基硅烷偶联剂作为改性剂，对KTN表面进行改性，接着反应一定时间，所得产物分别用DMF和乙醇洗涤两次，在60摄氏度下干燥10小时，得到表面富有氨基的KTN-NH₂粉末；

4)通过原位聚合法制备聚酰亚胺基(PI)复合薄膜前驱体，将被改性的KTN粉末(KTN-NH₂)加入前驱体中，在80、100、200、300和330摄氏度的温度下各加热1小时，并通过控制加入KTN-NH₂粉末的质量，制备出具有质量分数为百分之3-11的KTN-NH₂/PI复合薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种高击穿、低介损的KTN/PI复合薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(2)中加入KTN粉末的质量为1克，DMF溶液的体积为10毫升。

3.根据权利要求1所述的一种高击穿、低介损的KTN/PI复合薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(3)中KTN与所述偶联剂的质量比为9:1～15:1，反应时间为20～24小时。